[发明专利]薄膜晶体管、显示基板及显示装置

说明书

本公开提供一种薄膜晶体管、显示基板及显示装置，属于显示技术领域。本公开的薄膜晶体管，其包括：基底，位于所述基底上的栅极、有源层、源极和漏极；其中，所述栅极包括依次设置所述基底上、且电连接的第一栅极和第二栅极；所述有源层位于所述第一栅极和所述第二栅极之间；且所述第一栅极和所述第二栅极在所述基底上的正投影均与所述有源层在所述基底上正投影部分重叠；所述第一栅极和所述第二栅极在所述基底上的正投影部分重叠。

技术领域

本公开属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管、显示基板及显示装置。

背景技术

由于虚拟现实技术(英文名称：Virtual Reality，缩写为VR)显示装置具有高分辨率、快速响应、高刷新频率、高亮背光、高对比度等特点，故其市场越来越大，出货量逐年增长。

现有低温多晶硅VR显示装置所使用的薄膜晶体管在制作过程中，采用湿法刻蚀工艺在多晶硅材料层的表面形成栅极，此时在没有去除栅极表面所覆盖的光刻胶的前提下，以栅极表面的光刻胶为掩膜版，对多晶硅材料层进行离子注入，形成有源层的源极接触区和漏极接触区，接着去除栅极表面的光刻胶，然后对多晶硅材料层进行轻掺杂漏(LightlyDoped Drain，缩写为LDD)处理，形成轻掺杂漏极结构(即LDD结构)。

发明人发现，现有低温多晶硅VR显示装置所使用的薄膜晶体管的电子迁移率较高，加上高背光亮度的影响，使得薄膜晶体管所在像素的漏电流Ioff比较大，导致低温多晶硅VR显示装置的生产良率下降。

发明内容

本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种薄膜晶体管、显示基板及显示装置。

第一方面，本公开实施例提供一种薄膜晶体管，其包括：基底，位于所述基底上的栅极、有源层、源极和漏极；其中，所述栅极包括依次设置所述基底上、且电连接的第一栅极和第二栅极；所述有源层位于所述第一栅极和所述第二栅极之间；且所述第一栅极和所述第二栅极在所述基底上的正投影均与所述有源层在所述基底上正投影部分重叠；

所述第一栅极和所述第二栅极在所述基底上的正投影部分重叠。

其中，在所述第一栅极所在层和所述有源层所在层之间设置有第一栅绝缘层；在所述有源层所在层和所述第二栅极所在层之间设置有第二栅绝缘层；所述第一栅极和所述第二栅极的一者上设置有连接部；其中，所述连接部在所述基底上的正投影，突出于所述第一栅极和所述第二栅极在所述基底上的正投影的交叠区域；

所述薄膜晶体管还包括贯穿第一栅绝缘层和第二栅绝缘层的第一过孔，所述连接部通过所述第一过孔将所述第一栅极和所述第二栅极电连接。

其中，所述有源层包括沟道区，分设在所述沟道区两侧的源极接触区和漏极接触区；所述源极接触区和所述漏极接触区的离子掺杂浓度均大于所述沟道区的离子掺杂浓度。

其中，所述有源层与所述栅极在所述基底上正投影的交叠的区域为所述沟道区；所述有源层还包括位于所述沟道区和所述源极接触区之间的第一辅助区，位于所述沟道区和所述漏极接触区之间的第二辅助区；所述第一辅助区和所述第二辅助区均与所述栅极在所述基底上的正投影无重叠；其中，所述第一辅助区和所述第二辅助区的离子掺杂浓度均小于所述源极接触区和所述漏极接触区的离子掺杂浓度。

其中，所述第一辅助区和所述第二辅助区的离子掺杂浓度均大于或等于所述沟道区的离子掺杂浓度。

其中，在所述有源层靠近所述基底的一侧设置有遮光层；所述遮光层与所述有源层在基底上的投影至少部分重叠。

其中，所述遮光层与所述第一栅极同层设置且材料相同；其中，所述遮光层和所述第一栅极在所述基底上的正投影大致覆盖所述有源层在所述基底上的正投影。

第二方面，本公开实施例提供一种显示基板，其包括呈阵列排布的像素单元；每个像素单元中均包括上述的薄膜晶体管。