[发明专利]一种套刻标记及对准误差的测量方法在审
申请号: | 202010614218.1 | 申请日: | 2020-06-30 |
公开(公告)号: | CN112542396A | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 陈鲁;吕肃;李青格乐;江博闻;张嵩 | 申请(专利权)人: | 深圳中科飞测科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵晓荣 |
地址: | 518109 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 标记 对准 误差 测量方法 | ||
1.一种套刻标记,其特征在于,所述套刻标记位于基底中,包括第一标识和第二标识;所述第一标识和所述第二标识分别位于所述基底不同的层,和/或,所述第一标识和所述第二标识在不同工艺过程中形成;
所述第一标识与所述第二标识均包含特征结构,所述特征结构具有特征点,所述第一标识与所述第二标识的投影平面为所述基底的表面,在所述特征点处沿任一方向所述特征结构均具有不连续性;所述第一标识的特征点的信息和所述第二标识的特征点的信息用于进行对准误差测量。
2.根据权利要求1所述的套刻标记,其特征在于,所述第一标识的特征结构周期性排列,所述第二标识的特征结构周期性排列。
3.根据权利要求1所述的套刻标记,其特征在于,所述特征结构在所述投影平面内的投影为特征图案,所述特征图案为多边图形,所述特征点在所述投影平面内的投影为所述多边图形的顶点;或者,所述特征结构为锥体,所述特征点为锥体顶点。
4.根据权利要求1所述的套刻标记,其特征在于,所述第一标识中心对称,所述第二标识中心对称;当第一标识与第二标识不存在对准误差时,所述第一标识的对称中心与所述第二标识的对称中心在所述投影平面内重合。
5.根据权利要求4所述的套刻标记,其特征在于,所述第一标识沿其对称中心旋转90度或180度后仍与旋转前重合;所述第二标识沿其对称中心旋转90度或180度后仍与旋转前重合。
6.根据权利要求1所述的套刻标记,其特征在于,所述第一标识和所述第二标识在所述投影平面内相互错开。
7.根据权利要求1所述的套刻标记,其特征在于,所述第一标识包括至少一个第一栅格结构,所述第二标识包括至少一个第二栅格结构;所述第一栅格结构和所述第二栅格结构均包括所述特征结构,所述第一栅格结构在所述投影平面形成的第一栅格图案和所述第二栅格结构在所述投影平面形成的第二栅格图案均包括多个多边图形。
8.根据权利要求7所述的套刻标记,其特征在于,所述套刻标记包括多个标识分区,每个所述标识分区包括一个所述第一栅格结构和一个所述第二栅格结构,且在所述投影平面内该第一栅格结构的第一栅格图案和该第二栅格结构的第二栅格图案相邻。
9.根据权利要求7所述的套刻标记,其特征在于,所述第一栅格图案中多边图形的顶点相接,所述第二栅格图案中多边图形的顶点相接。
10.根据权利要求7所述的套刻标记,其特征在于,当使某个所述第一栅格结构与某个所述第二栅格结构在所述投影平面内该第一栅格结构的第一栅格图案的中心与该第二栅格结构的第二栅格图案的中心重合时,该第一栅格图案对应的多边图形与该第二栅格图案对应的多边图形重合或者该第一栅格图案对应的多边图形与第二栅格图案对应的多边图形之间的间隔重合。
11.根据权利要求3或7所述的套刻标记,其特征在于,所述多边图形的边长取值在[2μm,6μm]区间内。
12.根据权利要求7所述的套刻标记,其特征在于,所述第一栅格结构中沿所述第一方向周期性地排布的所述特征结构个数大于或等于3个。
13.一种对准误差的测量方法,其特征在于,包括:
获得权利要求1-12任一项所述的套刻标记的图像;
根据所述图像获取所述第一标识的特征点与第二标识的特征点之间的第一相对位置关系;根据所述第一相对位置关系获取所述第一标识与所述第二标识的偏移量,将所述偏移量作为对准误差。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造