[发明专利]一种新型半导体封装结构及其制造工艺

权利要求书

1.一种新型半导体封装结构，其特征在于：它包括线路内芯(1)，所述线路内芯(1)包括上金属板(1.1)和下金属板(1.2)，所述上金属板(1.1)和下金属板(1.2)之间通过复数个金属柱(1.3)相连接，所述上金属板(1.1)和下金属板(1.2)之间填充有塑料(2)，所述金属柱(1.3)被包覆于塑料(2)内，所述上金属板(1.1)正面设置有基岛(3)和内引脚(4)，所述下金属板(1.2)背面设置有外引脚(5)，所述基岛(3)上设置有芯片(7)，所述芯片(7)外围包封有塑封料(9)，所述金属柱(1.3)有两种形式，分别为连接金属柱(1.3a)和虚拟金属柱(1.3b)，所述连接金属柱(1.3a)起电性连接和机械支撑作用，所述虚拟金属柱(1.3b)仅起机械支撑作用。

2.根据权利要求1所述的一种新型半导体封装结构，其特征在于：复数个金属柱(1.3)呈阵列式排布。

3.根据权利要求1所述的一种新型半导体封装结构，其特征在于：所述上金属板(1.1)和下金属板(1.2)外围包覆有绿漆(10)。

4.根据权利要求3所述的一种新型半导体封装结构，其特征在于：所述上金属板(1.1)外围包覆的绿漆(10)上表面与基岛(3)和内引脚(4)上表面齐平；所述下金属板(1.2)外围包覆的绿漆(10)下表面与外引脚(5)下表面齐平。

5.根据权利要求1所述的一种新型半导体封装结构，其特征在于：基岛(3)区域的连接金属柱(1.3a)与连接金属柱(1.3a)顶部之间和底部之间分别通过上层金属板(1.1)和下层金属板(1.2)相连，引脚区域的连接金属柱(1.3a)与连接金属柱(1.3a)顶部之间和底部之间分别通过上层金属板(1.1)和下层金属板(1.2)相连。

6.根据权利要求1所述的一种新型半导体封装结构，其特征在于：基岛(3)区域的连接金属柱(1.3a)与虚拟金属柱(1.3b)仅顶部之间或底部之间相连；引脚区域的连接金属柱(1.3a)和虚拟金属柱(1.3b)仅顶部之间或底部之间相连。

7.根据权利要求1所述的一种新型半导体封装结构，其特征在于：基岛(3)区域的虚拟金属柱(1.3b)与虚拟金属柱(1.3b)仅顶部之间或底部之间相连；引脚区域的虚拟金属柱(1.3b)与虚拟金属柱(1.3b)顶部之间或底部之间相连。

8.根据权利要求1所述的一种新型半导体封装结构，其特征在于：基岛(3)区域的连接金属柱(1.3a)与连接金属柱(1.3a)底部之间不通过下层金属板(1.2)相连。

9.一种新型半导体封装结构的制造工艺，其特征在于所述工艺包括以下步骤：

步骤一、取一线路内芯，线路内芯包括上金属板和下金属板，上金属板和下金属板之间通过复数个金属柱相连接；

步骤二、在线路内芯的上金属板和下金属板之间填充塑料；

步骤三、对上金属板和下金属板表面部分区域进行化学蚀刻，直至露出塑料和部分金属柱；

步骤四，在步骤三完成蚀刻后的上金属板和下金属板外围涂覆绿漆；

步骤五，对上金属板和下金属板表面的绿漆进行曝光、显影从而去除部分绿漆，以露出上金属板和下金属板后续需要进行电镀作业的图形区域；

步骤六，通过电镀在上金属板正面形成相应的基岛和内引脚，在下金属板背面形成外引脚；

步骤七，在步骤六形成的基岛上植入芯片；

步骤八，芯片外围采用塑封料进行塑封；

步骤九，切割制得单颗新型半导体封装结构。

10.根据权利要求9所述的一种新型半导体封装结构的制造工艺，其特征在于：步骤一中上金属板和下金属板为平整的金属板；金属柱有两种形式，分别为连接金属柱和虚拟金属柱，所述连接金属柱起电性连接和机械支撑作用，所述虚拟金属柱在后续形成的封装结构中仅起机械支撑作用。