[发明专利]一种数据信息的读写方法、装置、设备及存储介质

说明书

本申请公开了一种数据信息的读写方法、装置、设备及介质，方法包括：当接收到写指令时，更新预先设置的缓存空间的地址匹配信息，并将与写指令对应的待写入数据信息写入缓存空间；当接收到读指令时，根据地址匹配信息从缓存空间中查找出与读指令对应的数据信息并进行反馈。本方法是在写入待写入数据信息时，先更新预先设置的缓存空间的地址匹配信息，将与写指令对应的数据信息写入缓存空间；当需要读取数据时，可以优先从缓存空间中查找出对应的数据信息进行反馈，避免了从Flash存储器的NAND闪存阵列中读取数据信息的繁琐过程，通过缩短更新缓存空间中的数据信息的延时，从而缩短了读取数据信息的延迟，提高了读取数据信息的效率。

技术领域

本发明涉及数据读写领域，特别涉及一种数据信息的读写方法、装置、设备及计算机可读存储介质。

背景技术

Flash存储器是一种非易失性存储器，在断电的情况下仍能保持所存储的数据信息。Flash存储器包括NAND-flash存储器和NOR-flash存储器；其中，NAND-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用。NAND-Flash存储器通常由三部分组成：接口控制器、闪存转换层(FTL，FlashTranslation Layer)以及NAND闪存阵列。但是，在实际应用中，需要经常重复对同一片地址进行读操作，如果每一次读操作都需要从NAND闪存阵列中读取数据，将使得读效率非常低。

现有技术中，通过预先从NAND闪存阵列中筛选出数据信息至预设缓存空间中，当需要读取数据信息时，便可以优先从缓存空间中查找读取对应的数据信息，以提高读取数据信息的效率。但是，现有技术中是在将数据信息写入至NAND闪存阵列中之后，再筛选出数据信息存储至预设的缓存空间中，即现有技术在将数据信息存储至缓存空间中的过程存在延时，而若在延时期间有新的读指令时，仍需要从NAND闪存阵列中读取对应的数据信息，仍将导致读取数据信息的效率低。

因此，如何降低Flash存储器读取数据信息的延时，提高Flash存储器读取数据信息的效率，是本领域技术人员目前需要解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种数据信息的读写方法，能够降低Flash存储器读取数据信息的延时，提高Flash存储器读取数据信息的效率；本发明的另一目的是提供一种数据信息的读写装置、设备及计算机可读存储介质，均具有上述有益效果。

为解决上述技术问题，本发明提供一种数据信息的读写方法，包括：

当接收到写指令时，更新预先设置的缓存空间的地址匹配信息，并将与所述写指令对应的待写入数据信息写入所述缓存空间；

当接收到读指令时，根据所述地址匹配信息从所述缓存空间中查找出与所述读指令对应的数据信息并进行反馈。

优选地，所述当接收到写指令时，更新预先设置的缓存空间的地址匹配信息，并将与所述写指令对应的待写入数据信息写入所述缓存空间的过程，具体包括：

若所述缓存空间中没有空闲地址，当接收到所述写指令时，按照预设规则确定出所述缓存空间中的待替换地址；

根据所述待替换地址和与所述写指令对应的待写入数据信息更新预先设置的所述缓存空间的所述地址匹配信息；

利用所述待写入数据信息替换所述待替换地址中的数据信息。

优选地，进一步包括：

按照预设时间周期将所述缓存空间中的增量信息同步至Flash存储器的NAND闪存阵列。

优选地，进一步包括：

根据最近最少使用算法更新所述缓存空间中的数据信息。