[发明专利]GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片及其生产方法

说明书

本发明提供了一种GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片及其生产方法，包括：N++层4、P+层5和P++层6；所述P++层6的上表面包括平面部分和沿所述平面部分的边缘环绕设置的腐蚀沟槽1；所述P+层5设置于所述P++层6的上侧，所述N++层4设置于所述P+层5的上侧；所述N++层4的侧面、所述P+层5的侧面以及所述腐蚀沟槽1内设置有钝化玻璃2。采用P+衬底，由于P+衬底均一性更佳，产品VB更加均匀，符合瞬间电压抑制二极管特性。采用倒梯形沟槽形状，避免了光刻胶掩膜的鸟嘴形状，提高电泳玻璃的均一性，减少尖端放电的风险。

技术领域

本发明涉及电子元器件领域，具体地，涉及一种GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片及其生产方法。

背景技术

Gpp(Glassivation passivation parts，玻璃钝化元件)，玻璃钝化工艺由于具有较高的可靠性和稳定性,被广泛应用在高反压大功率二极管的台面钝化。

专利文献CN203150557U公开了一种汽车模组中反向GPP高压二极管芯片，该反向GPP高压二极管芯片结构为P++-P+-N-N+型；反向GPP高压二极管芯的正面截层结构依次为腐蚀沟槽，钝化玻璃，金属层；反向GPP高压二极管芯的剖面截层结构结构依次为腐蚀沟槽，钝化玻璃，金属层，N+区，基区N，P+区，高浓度P++区。

传统GPP单向瞬间电压抑制二极管一般采用N+为衬底，导致击穿电压VB均一性差；同时，在挖槽过程中容易造成光刻胶掩膜的鸟嘴形状，降低了电泳玻璃的均一性，存在尖端放电的风险。

发明内容

针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片及其生产方法。

根据本发明提供的一种GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片，包括：N++层(4)、P+层(5)和P++层(6)；

所述P++层(6)的上表面包括平面部分和沿所述平面部分的边缘环绕设置的腐蚀沟槽(1)；

所述P+层(5)设置于所述P++层(6)的上侧，所述N++层(4)设置于所述P+层(5)的上侧；

所述N++层(4)的侧面、所述P+层(5)的侧面以及所述腐蚀沟槽(1)内设置有钝化玻璃(2)。

优选地，所述腐蚀沟槽(1)呈半个倒梯形。

优选地，所述平面部分的的宽度与所述所述N++层(4)、所述P+层(5)的宽度相同。

优选地，所述所述N++层(4)的侧面的钝化玻璃(2)的高度高于所述N++层(4)的上表面。

优选地，所述所述N++层(4)的上表面设置有第一金属层以及环绕所述第一金属层的边缘设置的二氧化硅层(7)。

优选地，所述N++层(4)的侧面的钝化玻璃(2)的高度高于所述N++层(4)的上表面，且覆盖在所述N++层(4)的上表面边缘，与所述二氧化硅层(7)连接。

优选地，所述P++层(6)的下表面设置有第二金属层。

优选地，所述腐蚀沟槽(1)的深度为80±3微米。

优选地，所述腐蚀沟槽(1)的最宽处宽度为280±10微米。

根据本发明提供的一种如权利要求1所述的GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片的生产方法，包括：

步骤1：对P+型硅片表面进行清洗；

步骤2：使用3L/min氮气携带10℃的三氯氧磷，在1000℃扩散2小时，在硅片表面形成N++层；

步骤3：使用氢氟酸浸泡30min，去除扩散造成的氧化层；