[发明专利]存储器、集成电路存储器及制造存储器的方法

权利要求书

1.一种存储器，其中，包括：

多个存储单元，这些存储单元中的每个存储单元包括在一位线和一参考线之间串联的一垂直选择晶体管和一垂直铁电存储晶体管。

2.根据权利要求1所述的存储器，其中，包括：

多个选择栅极线和多个字线；

多个垂直通道结构，这些垂直通道结构中的每个垂直通道结构系正交设置相对于这些选择栅极线中的一对应选择栅极线以形成用于该垂直选择晶体管的通道，以及正交设置相对于这些字线中的一对应字线以形成用于该垂直铁电存储晶体管的通道。

3.根据权利要求1所述的存储器，其中，包括：

多个选择栅极线和多个字线；

多个垂直通道结构，这些垂直通道结构中的每个垂直通道结构系正交设置相对于和被围绕于这些选择栅极线中的一对应选择栅极线以形成用于该垂直选择晶体管的通道，以及正交设置相对于和被围绕于这些字线中的一对应字线以形成用于该垂直铁电存储晶体管的通道。

4.根据权利要求1所述的存储器，其中，该垂直铁电存储晶体管包括一垂直通道、一铁电材料层以及一字线材料层。

5.根据权利要求4所述的存储器，其中，该铁电材料层包括二氧化铪。

6.根据权利要求1所述的存储器，其中，这些存储单元系以NOR架构配置。

7.根据权利要求1所述的存储器，其中，这些存储单元系设置于一衬底上，该衬底包括逻辑电路，以及这些存储单元系设置于覆盖该逻辑电路的一阵列中。

8.根据权利要求1所述的存储器，其中，这些存储单元系以一阵列的形式设置于一衬底上，并且包括覆盖该阵列的逻辑电路。

9.根据权利要求1所述的存储器，其中，包括偏置电路以施加读取、编程和擦除操作于这些存储单元。

10.一种集成电路存储器，其中，包括：

一衬底；

一参考线导体，设置于该衬底上；

一叠层，包括在该衬底上的该参考线导体上的一选择栅极导体层和一字线导体层；

多个垂直通道柱，系正交设置相对于该叠层中的该选择栅极导体层和该字线导体层，并接触该参考线导体；

铁电存储材料，设置于这些垂直通道柱和该字线导体层的交叉点处；

选择栅极介电质材料，设置于这些垂直通道柱和该选择栅极导体层的交叉点处；以及

多个位线，设置于这些垂直通道柱上，并接触这些垂直通道柱。

11.根据权利要求10所述的集成电路存储器，其中，该衬底上的该参考线导体包括一掺杂半导体材料。

12.根据权利要求10所述的集成电路存储器，其中，这些垂直通道柱系被围绕于该选择栅极导体层中的选择栅极导体材料和该字线导体层中的字线导体材料。

13.根据权利要求10所述的集成电路存储器，其中，该选择栅极导体层位于该叠层中的该字线导体层下方。

14.根据权利要求10所述的集成电路存储器，其中，包括控制和偏置电路，系通过施加一电场来设定该铁电存储材料中的一残余极性，以编程数据。

15.根据权利要求10所述的集成电路存储器，其中，包括在该铁电存储材料和这些垂直通道柱之间的一介电层，以及在该铁电存储材料和该字线导体层之间的一导电缓冲层。

16.根据权利要求10所述的集成电路存储器，其中，该铁电存储材料包括二氧化铪。

17.根据权利要求10所述的集成电路存储器，其中，包括以NOR架构设置的这些垂直通道柱。