[发明专利]改进的干膜配方、流体喷射头及其制作方法

权利要求书

1.一种改进的感光成像干膜配方，所述干膜配方包含多官能环氧化合物、能够产生阳离子的光引发剂、非光反应性溶剂及以干燥前的所述感光成像干膜配方的总重量计约0.5重量％到约5重量％的硅烷寡聚物粘合增强剂。

2.根据权利要求1所述的改进的感光成像干膜配方，其中以干燥前的所述感光成像干膜配方的总重量计，所述配方包含约1重量％到约3重量％的所述硅烷寡聚物粘合增强剂。

3.根据权利要求1所述的改进的感光成像干膜配方，其中所述非光反应性溶剂包括脂族酮溶剂。

4.根据权利要求3所述的改进的感光成像干膜配方，其中所述脂族酮溶剂包括环己酮且视需要包括丙酮。

5.根据权利要求1所述的改进的感光成像干膜配方，其中所述硅烷寡聚物粘合增强剂包括烷氧基硅烷寡聚物化合物。

6.根据权利要求5所述的改进的感光成像干膜配方，其中所述烷氧基硅烷寡聚物化合物包括下式的γ-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷寡聚物

其中n介于1到4的范围内。

7.根据权利要求1所述的改进的感光成像干膜配方，其中由所述感光成像干膜配方制成的干膜积层体被施加到硅半导体衬底。

8.根据权利要求1所述的改进的感光成像干膜配方，其中由所述感光成像干膜配方制成的干膜积层体被施加到流体喷射头的流动特征层。

9.一种改进的流体喷射头的制作方法，所述方法包括以下步骤：

将光致抗蚀剂层施加到离型膜，其中所述光致抗蚀剂层衍生自感光成像干膜配方，所述感光成像干膜配方包含多官能环氧化合物、光酸产生剂、硅烷寡聚物粘合增强剂及非光反应性溶剂；

对所述离型膜上的所述感光成像干膜配方进行干燥以提供厚膜层；

将所述厚膜层积层到半导体衬底上的流动特征层；

从所述厚膜层移除所述离型膜；

对所述厚膜层中的喷嘴孔进行成像；以及对成像的所述厚膜层进行显影以为所述流体喷射头提供喷嘴板。

10.根据权利要求9所述改进的流体喷射头的制作方法，其中以干燥前的所述感光成像干膜配方的总重量计，所述感光成像干膜配方包含约1重量％到约3重量％的所述硅烷寡聚物粘合增强剂。

11.根据权利要求9所述改进的流体喷射头的制作方法，其中所述非光反应性溶剂包括芳基酮溶剂或脂族酮溶剂。

12.根据权利要求11所述改进的流体喷射头的制作方法，其中所述脂族酮溶剂包括环己酮且视需要包括丙酮。

13.根据权利要求9所述改进的流体喷射头的制作方法，其中所述硅烷寡聚物粘合增强剂包括烷氧基硅烷寡聚物化合物。

14.根据权利要求13所述改进的流体喷射头的制作方法，其中所述烷氧基硅烷寡聚物化合物包括下式的γ-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷寡聚物

其中n介于1到4的范围内。

15.根据权利要求9所述改进的流体喷射头的制作方法，其中所述离型膜上的所述感光成像干膜配方是在介于约110℃到约150℃范围内的温度下干燥。

16.一种流体喷射头，用于喷射流体组合物，包括：

半导体衬底，含有位于所述半导体衬底上的流体喷射器件，

流动特征层，设置在所述半导体衬底上，及

厚膜层，积层到所述流动特征层，其中所述厚膜层衍生自感光成像干膜配方，所述感光成像干膜配方包含多官能环氧化合物、能够产生阳离子的光引发剂、非光反应性溶剂及以干燥前的所述感光成像干膜配方的总重量计约0.5重量％到约5重量％的硅烷寡聚物粘合增强剂。