[发明专利]一种多芯片封装及其制造方法

权利要求书

1.一种多芯片封装的制造方法，其包括以下步骤：

(1)提供相同的多个半导体芯片，所述半导体芯片的截面为等腰梯形，其包括相对的上表面和下表面以及在所述上表面和下表面之间的相对设置的第一侧面和第二侧面，在所述第一侧面上具有第一通孔，在所述第二侧面上具有第二通孔；所述上表面上具有热塑性材料层，且在靠近所述第二侧面的上表面处，所述热塑性材料层具有一开口；

(2)将多个半导体芯片的所述第一侧面依次贴合于一载板上；

(3)利用第一模具和第二模具热压多个半导体器件，使得多个半导体器件通过彼此之间的热塑性材料层粘合在一起，形成多芯片组合体；其中，多个半导体芯片的多个第一侧面共面形成第三侧面，多个半导体芯片的多个第二侧面与多个半导体芯片的上表面的一部分构成锯齿状结构；

其中，步骤(1)具体包括：提供一晶圆，所述晶圆包括多个半导体裸芯，每一个所述半导体裸芯均包括在所述晶圆的有源面上的有源区以及在所述有源区周围的外围区，所述有源区中具有至少两个个焊盘；在所述有源面上形成布线层，所述布线层从所述有源区延伸至所述外围区，所述布线层包括延伸至所述第一侧面处的第一部分以及延伸至所述第二侧面处的第二部分，其中所述开口露出所述第二部分的至少一部分；在所述有源面沉积形成热塑性材料层；沿着所述多个半导体裸芯之间的切割道进行单体化，形成多个分立的半导体芯片；其中所述第一侧面和第二侧面与所述上表面的夹角均为锐角A，其中30°≤A≤45°；

并且，在进行所述单体化之后，还包括：从所述第一侧面和第二侧面钻孔并填充导电材料形成分别电连接所述第一部分和第二部分的第一通孔和第二通孔。

2.根据权利要求1所述的多芯片封装的制造方法，其特征在于：

在步骤(3)中，所述第一模具具有第一斜面，所述第一斜面贴合于最尾端的半导体芯片的下表面；所述第二模具具有第二斜面，所述第二斜面贴合于最首端的半导体芯片的上表面；并且其中，利用第一模具和第二模具热压多个半导体器件具体包括：通过所述第一模具和第二模具分别施加朝向多个半导体芯片的力，并进行加热，使得多个半导体芯片通过彼此之间的热塑性材料层粘合在一起。

3.根据权利要求2所述的多芯片封装的制造方法，其特征在于：

所述锯齿状结构包括多个三角形的凹口，所述制造方法进一步包括步骤(4)：在所述凹口中填充导电材料，以使得相邻的半导体芯片的所述第二通孔与所述第二部分电连接。

4.根据权利要求3所述的多芯片封装的制造方法，其特征在于：

还包括步骤(5)：将所述第三侧面相对封装基板的方式焊接所述多芯片组合体；然后利用底部填充剂填充所述第三侧面与所述封装基板之间的空隙，所述底部填充剂还至少填充最尾端的半导体芯片的下表面与封装基板之间。

5.根据权利要求4所述的多芯片封装的制造方法，其特征在于：

在所述最尾端的半导体芯片的下表面与封装基板之间还设置有其他芯片，所述其他芯片被所述底部填充剂包裹。

6.根据权利要求2所述的多芯片封装的制造方法，其特征在于：

还包括提供两个所述多芯片组合体进行组合：首先，在两个所述多芯片组合体的开口中填充导电材料形成第三通孔；然后，将两个所述多芯片组合体以中心对称的方式设置，并将其两者的锯齿状结构相向的设置；最后，将两个所述多芯片组合体的锯齿状结构互相卡合，以使得两个所述多芯片组合体的第二通孔相互物理和电接触以及第三通孔相互物理和电接触。

7.一种多芯片封装，其由权利要求1-6任一项所述的多芯片封装的制造方法形成。