[发明专利]具有干涉放大器阵列的集成半导体激光器

权利要求书

1.一种光子集成电路，包括：

激光器，配置为生成光束；以及

马赫-曾德尔干涉仪MZI，配置为放大光束，

其中，所述MZI包括经由所述MZI的多个臂连接的第一耦合器和第二耦合器，

其中，所述多个臂中的一个臂为所述光束的部分提供光路，并且包括配置为放大所述光束的所述部分的半导体光放大器SOA和配置为调整所述光束的所述部分的相位的移相器。

2.如权利要求1所述的光子集成电路，其中：

所述第一耦合器包括单个输入和多个输出，

其中，所述第一耦合器的所述单个输入连接到所述激光器，并且所述第一耦合器的所述多个输出中的每个输出连接到所述MZI的所述多个臂中的相应的臂；以及

所述第二耦合器包括多个输入和单个输出，

其中，所述第二耦合器的所述多个输入中的每个输入连接到所述MZI的所述多个臂中的相应的臂，并且所述单个输出连接到所述光子集成电路的输出表面。

3.如权利要求1所述的光子集成电路，其中：

所述第一耦合器包括单个输入和多个输出，

其中，所述第一耦合器的所述单个输入连接到所述激光器，并且所述第一耦合器的所述多个输出中的每个输出连接到所述MZI的所述多个臂中的相应的臂；以及

所述第二耦合器包括多个输入和多个输出，

其中，所述第二耦合器的所述多个输入中的每个输入连接到所述MZI的所述多个臂中的相应的臂，并且所述多个输出连接到所述光子集成电路的输出表面。

4.如权利要求1所述的光子集成电路，其中：

所述第二耦合器包括多个输出，

其中，所述第二耦合器的所述多个输出中的至少一个输出连接到监

控光电二极管。

5.如权利要求1所述的光子集成电路，其中：

所述第二耦合器包括多个输出，

其中，所述第二耦合器的所述多个输出中的至少一个输出连接到抽头光电二极管。

6.如权利要求1所述的光子集成电路，其中，所述激光器和所述MZI经由串联SOA连接。

7.如权利要求1所述的光子集成电路，其中，所述第一耦合器和所述第二耦合器是多模式干涉MMI耦合器、星形耦合器或定向耦合器。

8.如权利要求1所述的光子集成电路，其中，所述激光器是可调激光器或调频激光器，

其中，所述激光器包括后镜、移相器部件、激光增益部件和前镜。

9.一种光子集成电路，包括：

一个或多个激光器；以及

连接到所述一个或多个激光器的马赫-曾德尔干涉仪MZI，包括：

第一耦合器，包括至少一个输入和多个输出；

半导体光放大器SOA阵列，包括多个臂，

其中，所述多个臂中的每个臂包括SOA和移相器；以及

第二耦合器，包括多个输入和至少一个输出。

10.如权利要求9所述的光子集成电路，其中：

所述第一耦合器是1×2耦合器且所述第二耦合器是2×1耦合器；

所述第一耦合器是1×2耦合器且所述第二耦合器是2×2耦合器；

所述第一耦合器是2×2耦合器且所述第二耦合器是2×1耦合器；或

所述第一耦合器是2×2耦合器且所述第二耦合器是2×2耦合器。

11.如权利要求9所述的光子集成电路，其中，所述第二耦合器的所述至少一个输出连接到抽头光电二极管或监控光电二极管。