[发明专利]感性耦合边缘刻蚀反应装置和边缘刻蚀方法

权利要求书

1.一种感性耦合边缘刻蚀反应装置，其特征在于，包括：

传片系统和刻蚀系统；

所述传片系统包括:腔主体;位于所述腔主体中的支撑移动平台,所述支撑移动平台包括用于水平放置晶圆的晶圆夹持板,所述晶圆夹持板可围绕垂直晶圆夹持板表面的中心轴进行旋转;

所述刻蚀系统包括:下电极;与所述下电极相对的上层板;位于所述上层板和所述下电极之间的射频隔离环;位于所述上层板顶部的感性耦合射频单元；

所述射频隔离环包括:位于所述下电极外部区域的下射频隔离环;位于所述上层板外部区域的上射频隔离环,所述上射频隔离环和所述下射频隔离环之间具有间隙;

所述刻蚀系统位于所述传片系统的侧部,所述刻蚀系统和所述传片系统集成在一起;

所述晶圆的边缘区域适于通过所述间隙延伸至所述射频隔离环侧部的下电极和上层板之间。

2.根据权利要求1所述的感性耦合边缘刻蚀反应装置，其特征在于，所述上层板为介质窗片；所述感性耦合射频单元包括：位于所述介质窗片顶部的屏蔽罩；位于所述屏蔽罩内部且至少分布于所述介质窗片中心区域上方的射频天线，所述射频天线用于在所述下电极和所述介质窗片之间产生等离子体。

3.根据权利要求2所述的感性耦合边缘刻蚀反应装置，其特征在于，所述介质窗片的材料为石英或陶瓷。

4.根据权利要求2所述的感性耦合边缘刻蚀反应装置，其特征在于，贯穿所述介质窗片中心区域的第一进气通道，所述第一进气通道适于通入刻蚀所述晶圆边缘的刻蚀气体。

5.根据权利要求1所述的感性耦合边缘刻蚀反应装置，其特征在于，所述上层板为等离子体通道板；所述感性耦合射频单元包括：位于所述等离子体通道板顶部的屏蔽罩；位于所述屏蔽罩内部且位于所述等离子体通道板中心区域上方的反应室介质管；位于所述屏蔽罩内部且分布于所述反应室介质管侧部的射频天线，所述射频天线用于在所述反应室介质管内部产生等离子体，所述等离子体适于通过所述等离子体通道板进入所述下电极和所述等离子体通道板之间。

6.根据权利要求5所述的感性耦合边缘刻蚀反应装置，其特征在于，所述等离子体通道板的材料为铝合金通道板、碳通道板或碳化硅通道板。

7.根据权利要求5所述的感性耦合边缘刻蚀反应装置，其特征在于，所述感性耦合射频单元还包括：位于所述反应室介质管顶部的第一进气通道，所述第一进气通道适于通入刻蚀所述晶圆边缘的刻蚀气体至所述反应室介质管中。

8.根据权利要求5所述的感性耦合边缘刻蚀反应装置，其特征在于，所述反应室介质管的材料为石英或陶瓷。

9.根据权利要求1所述的感性耦合边缘刻蚀反应装置，其特征在于，还包括：贯穿所述上射频隔离环和所述上层板的边缘区域的第二进气通道，所述第二进气通道适于通入惰性气体。

10.根据权利要求2或5所述的感性耦合边缘刻蚀反应装置，其特征在于，所述感性耦合射频单元还包括：冷却装置，所述冷却装置位于所述屏蔽罩的上部或侧壁，所述冷却装置用于对所述射频天线和所述上层板进行冷却。

11.根据权利要求2或5所述的感性耦合边缘刻蚀反应装置，其特征在于，所述射频天线上用于施加射频源，所述射频源的频率为100kHz~100MHz。

12.根据权利要求1所述的感性耦合边缘刻蚀反应装置，其特征在于，还包括：隔离环抽气通道，所述隔离环抽气通道仅横向贯穿所述上射频隔离环，或者，所述隔离环抽气通道仅横向贯穿所述下射频隔离环，或者，所述隔离环抽气通道分别横向贯穿所述上射频隔离环和下射频隔离环。