[发明专利]图案化的方法

说明书

本发明提供一种图案化的方法，包括以下步骤：在目标层上依序形成经掺杂多晶硅层、核心层以及未掺杂多晶硅层。图案化未掺杂多晶硅层，以形成多晶硅图案。以多晶硅图案为掩膜，进行第一刻蚀工艺，以移除部分核心层并形成核心图案。进行第二刻蚀工艺，以移除多晶硅图案。进行原子层沉积工艺，以于核心图案与经掺杂多晶硅层上形成间隙壁材料。移除部分间隙壁材料，以于核心图案的侧壁上形成间隙壁。移除部分核心图案及其下方的经掺杂多晶硅层。

技术领域

本发明涉及一种图案化的方法。

背景技术

随着科技的进步，各类电子产品皆朝向轻薄短小的趋势发展。在这趋势之下，半导体器件的关键尺寸亦逐渐缩小，进而使得光刻工艺愈来愈困难。在现有光刻工艺中，缩小关键尺寸的方法包括使用较大数值孔径(numerical aperture，NA)的光学器件、较短的曝光波长(例如EUV)或是除了空气以外的界面介质(例如水浸入)。随着现有光刻工艺的分辨率接近理论极限，制造商已开始转向双重图案化(double-patterning，DP)方法来克服光学极限，进而提升半导体器件的集成密度。

然而，在目前的双重图案化方法中，核心图案的侧壁上的间隙壁的形貌具有较差的粗糙度。因此，目前的双重图案化方法仍需面临一些挑战。

发明内容

本发明提供一种图案化的方法，其可改善核心图案的侧壁上的间隙壁的粗糙度，以使后续形成的目标图案具有较好的侧壁均匀度。

本发明提供一种图案化的方法包括以下步骤。在目标层上依序形成经掺杂多晶硅层、核心层以及未掺杂多晶硅层。图案化未掺杂多晶硅层，以形成多晶硅图案。以多晶硅图案为掩膜，进行第一刻蚀工艺，以移除部分核心层并形成核心图案。进行第二刻蚀工艺，以移除多晶硅图案。进行原子层沉积工艺，以于核心图案与经掺杂多晶硅层上形成间隙壁材料。移除部分间隙壁材料，以于核心图案的侧壁上形成间隙壁。移除部分核心图案及其下方的经掺杂多晶硅层。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1N是本发明一实施例的半导体结构的制造流程的剖面示意图。

具体实施方式

参照本实施例的附图以更全面地阐述本发明。然而，本发明亦可以各种不同的形式体现，而不应限于本文中所述的实施例。附图中的层与区域的厚度会为了清楚起见而放大。相同或相似的标号表示相同或相似的组件，以下段落将不再一一赘述。

图1A至图1N是本发明一实施例的半导体结构的制造流程的剖面示意图。此半导体结构可以是存储器的控制栅极(CG)，但本发明不以此为限。在其他实施例中，此半导体结构也可以是存储器的接触窗、动态随机存取存储器(DRAM)的有源区(AA)、逻辑器件的内连线结构或其组合。

请参照图1A，本实施例提供一种半导体结构的制造方法，其步骤如下。首先，提供目标层100。在一些实施例中，目标层100可以是多晶硅层，其可用以当作存储器的控制栅极。但本发明不以此为限，在其他实施例中，目标层100也可以是金属层(例如钨层)、硅基底、介电层或其组合。