[发明专利]等离子体处理装置及其边缘气体组件

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

真空反应腔，其包括顶盖，所述顶盖具有贯穿顶盖的开口，所述真空反应腔内底部具有基座，所述基座用于承载待处理基片；

安装基板，位于所述开口内；

气体喷淋头，位于所述安装基板的下方，所述气体喷淋头与基座相对设置；

边缘气体组件，环绕于所述气体喷淋头的外围，包括至少两个互相隔离的边缘气体调节区，每个所述边缘气体调节区设置进气通道和出气通道，所述出气通道朝向待处理基片的边缘区域；

气体源，用于向所述进气通道输送气体，且各个边缘气体调节区的气体输送情况独立可控。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述边缘气体组件的本体材料包括：铝合金；所述边缘组件的本体表面设有耐等离子体涂层。

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述边缘气体组件的本体材料包括：硅或者石英。

4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述顶盖与边缘气体组件一体成型。

5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述顶盖与边缘气体组件为两个独立的部件，两者之间通过机械固定或者通过焊接连接在一起。

6.如权利要求4或5所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述安装基板外围的顶盖内设置有入口和出口，所述出口与边缘气体组件的进气通道连通，所述气体源与入口连通，使气体源输送的气体通过出气通道输出。

7.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述安装基板包括承载于顶盖上的承载部分，在所述承载部分和位于承载部分下方顶盖内设置通道，所述通道包括入口和出口，所述出口与进气通道连通，所述入口与气体源连接。

8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述边缘气体组件为一完整的环形结构，且相邻边缘气体调节区之间相互隔离。

9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述边缘气体组件为若干个相互分立的弧段结构。

10.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述边缘气体组件为若干个相互分立的喷嘴结构。

11.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述进气通道与出气通道之间还设置有气体缓冲腔。

12.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述边缘气体组件的底部到基座表面的距离大于气体喷淋头的底部到基座表面的距离，所述边缘气体组件的底部设置所述出气通道。

13.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述边缘气体组件的底部到基座表面的距离小于气体喷淋头的底部到基座表面的距离，且所述边缘气体组件的底部包括一切面，所述切面朝向待处理基片的边缘区域，所述出气通道位于所述切面上。

14.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述边缘气体组件的底部低于基座的表面，所述边缘气体组件位于所述气体喷淋头与基座之间的侧壁上设置所述出气通道。

15.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，位于所述开口内的安装基板包括第一进气区域、包围所述第一进气区域的第二进气区域和包围所述第二进气区域的第三进气区域；所述气体喷淋头包括第一出气区域、包围所述第一出气区域的第二出气区域和包围所述第二出气区域的第三出气区域，且所述第一进气区域与第一出气区域连通，所述第二进气区域与第二出气区域连通，所述第三进气区域与第三出气区域连通。