[发明专利]一种消影的图案化透明导电电极制备方法有效
申请号: | 202010618299.2 | 申请日: | 2020-06-30 |
公开(公告)号: | CN111710475B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 刘贵师;罗云瀚;郑华健;陈耀飞;陈雷 | 申请(专利权)人: | 暨南大学 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;H01B13/30 |
代理公司: | 广州润禾知识产权代理事务所(普通合伙) 44446 | 代理人: | 郑永泉 |
地址: | 510632 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 图案 透明 导电 电极 制备 方法 | ||
1.一种消影的图案化透明导电电极制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1在衬底上沉积金属纳米线,形成金属纳米线交联网络层;
S2采用巯基化合物对金属纳米线交联网络进行选择性修饰,改变金属纳米线交联网络层部分区域的热稳定性,在修饰与未修饰区域之间形成热稳定性差异,得到结构化修饰的交联网络层;
S3对结构化修饰的交联网络层进行加热,在金属纳米线交联网络层热稳定性差的部位得到金属纳米线熔断的绝缘区域,在金属纳米线交联网络层热稳定性好的部位得到金属纳米线完整的导电区域,形成消影的图案化透明导电电极。
2.根据权利要求1所述的一种消影的图案化透明导电电极制备方法,其特征在于,所述步骤S2的过程为:以巯基化合物为原料,使用带图案的器具对金属纳米线交联网络层进行图案化选择性修饰,在图案区域的金属纳米线表面增加巯基自组装单分子层,以改变图案区域的金属纳米线的热稳定性,并进行清洗干燥,形成结构化修饰的交联网络层。
3.根据权利要求1所述的一种消影的图案化透明导电电极制备方法,其特征在于,所述步骤S2的过程为:以巯基化合物为原料,对金属纳米线交联网络层进行整体修饰,使金属纳米线表面增加巯基自组装单分子层,以改变金属纳米线的热稳定性,形成整体结构化修饰的交联网络层,再利用带图案的保护层覆盖整体结构化修饰的交联网络层,并去除图案区域中的金属纳米线表面的巯基自组装单分子层,形成结构化修饰的交联网络层。
4.根据权利要求2所述的一种消影的图案化透明导电电极制备方法,其特征在于,所述图案化选择性修饰由喷墨打印、丝网印刷、胶版印刷、软印章转印中的任一种制程直接将巯基化合物选择性沉积在金属纳米线交联网络层上,从而选择性修饰金属纳米线交联网络。
5.根据权利要求3所述的一种消影的图案化透明导电电极制备方法,其特征在于,所述整体修饰的方法为液相修饰、气相修饰或固态转印修饰中的任一种。
6.根据权利要求3所述的一种消影的图案化透明导电电极制备方法,其特征在于,所述带图案的保护层为金属掩膜版、菲林掩膜版、石英掩膜版、聚合物薄膜中的任一种。
7.根据权利要求3所述的一种消影的图案化透明导电电极制备方法,其特征在于,所述去除图案区域的巯基自组装单分子层的方法为采用等离子体轰击、紫外/臭氧处理、强脉冲光曝光、化学腐蚀中的任一种。
8.根据权利要求1所述的一种消影的图案化透明导电电极制备方法,其特征在于,所述巯基化合物为苯乙基硫醇、正丙基硫醇、异丙基硫醇、3-巯基丙酸、1-丙硫醇、1,3-丙二硫醇、2,3-二巯基丙醇、正丁基硫醇、正戊基硫醇、正己基硫醇、正辛基硫醇、1-苯基-5-巯基四氮唑、2-巯基苯并咪唑、2-巯基苯并恶唑、十二烷基硫醇、十四烷基硫醇、十六烷基硫醇、十八烷基硫醇、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、4-咪唑二硫代羧酸、苯硫酚等中的任一种或多种的组合。
9.根据权利要求1所述的一种消影的图案化透明导电电极制备方法,其特征在于,所述衬底为刚性材料,所述刚性材料为玻璃、硅片中的任一种,或所述衬底为柔性材料,所述柔性材料为聚二甲基硅氧烷、聚对苯二甲酸乙二酯、聚醚砜树脂、聚乙烯,聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯中的任一种。
10.根据权利要求1所述的一种消影的图案化透明导电电极制备方法,其特征在于,所述金属纳米线为铜纳米线、银纳米线、金纳米线中的一种或几种的混合。
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