[发明专利]掩埋型半导体光学装置

权利要求书

1.一种掩埋型半导体光学装置，包括:

半导体基板；

台面条带部分，其包括在半导体基板上的多量子阱层；

掩埋层，其由第一部分和第二部分组成，

第一部分覆盖台面条带部分的一侧，

第二部分覆盖台面条带部分的另一侧，并且

第一部分和第二部分覆盖半导体基板的表面；和

电极，其被配置为使电流流过台面条带部分，

所述掩埋层包括从半导体基板的表面开始的第一子层、第二子层和第三子层，

第一子层和第三子层均由半绝缘InP组成，

第一子层和第二子层形成成对结构，

第一子层是所述掩埋层的底层，

第二子层相对于半导体基板表面位于多量子阱层的上方，并且

第二子层由选自InGaAs、InAlAs、InGaAlAs、InGaAsP和InAlAsP的一层或多层组成。

2.根据权利要求1所述的掩埋型半导体光学装置，其中，所述第二子层位于所述台面条带部分的顶部的上方。

3.根据权利要求1所述的掩埋型半导体光学装置，其中，所述第一子层具有等于或小于5μm的厚度。

4.根据权利要求1所述的掩埋型半导体光学装置，其中，所述第二子层具有等于或大于5nm的厚度。

5.根据权利要求1所述的掩埋型半导体光学装置，其中，所述第二子层与所述第一子层晶格匹配。

6.根据权利要求1所述的掩埋型半导体光学装置，其中，所述第一子层和所述第三子层是掺杂有Fe或Ru的InP。

7.根据权利要求1所述的掩埋型半导体光学装置，其中，所述第二子层不包括使所述第二子层成为p型或n型半导体的杂质。

8.根据权利要求1所述的掩埋型半导体光学装置，其中，所述第二子层掺杂有Ru。

9.根据权利要求1所述的掩埋型半导体光学装置，进一步包括:

设置在半导体基板上的缓冲层。

10.根据权利要求1所述的掩埋型半导体光学装置，其中，所述成对结构包括多对结构。

11.根据权利要求10所述的掩埋型半导体光学装置，其中，

所述多对结构的第二子层中的每一个由一个或多个层组成，所述一个或多个层选自InGaAs,InAlAs,InGaAlAs,InGaAsP和InAlAsP，并且

第二子层中的至少一个的组成不同于其余的第二子层。

12.根据权利要求10所述的掩埋型半导体光学装置，其中，所述多对结构包括三个或更多对结构。