[发明专利]一种估算中子导致的触发器软错误率的方法在审
| 申请号： | 202010619041.4 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111931455A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 王海滨;李玉娇;王语甜;李磊 | 申请（专利权）人： | 河海大学常州校区 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 丁涛 |
| 地址： | 213022 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 估算 中子 导致 触发器 错误率 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种估算中子导致的触发器软错误率的方法，其特征在于，具体步骤如下：
S1利用GEANT4软件导入入射中子和器件结构，模拟中子入射后与器件材料发生核反应产生次级离子的过程，得到次级离子的线性能量转移LET值的概率分布；
S2通过TCAD软件进行单粒子翻转仿真，并导入触发器版图，得到触发器的关键线性能量转移值LETcrit；
S3对各单能量中子，以中子差分通量率为权重，对中子能量这一积分变量进行积分，得到线性能量转移LET概率密度分布函数，如式(1)所示：
其中，En为中子能量，f(LET，En)为单一能量中子的LET概率密度函数，为中子能量为En的差分通量率，Emin为器件所处辐射环境的中子能量最小值，Emax为器件所处辐射环境的中子能量最大值；
随后对fD(LET)做从LETcrit至正无穷的积分，得到线性能量转移LET值的累计概率密度分布函数，如式(2)所示：
S4计算fC(LET)与触发器敏感面积的乘积即可得到触发器的软错误率SERDFF。
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