[发明专利]用于生成甚低频信号的信号发射元及制作方法

权利要求书

1.一种用于生成甚低频信号的信号发射元，其特征在于，包括：MEMS谐振器和辐射层，所述辐射层包括：磁致伸缩薄膜或驻极体薄膜，所述辐射层设置在所述MEMS谐振器的谐振区的一侧，所述辐射层与所述谐振区紧密耦合，所述MEMS谐振器的谐振区的另一侧通过锚点固定在衬底上，所述MEMS谐振器的谐振区的谐振频率工作在甚低频波段，用于使所述磁致伸缩薄膜发生磁化振荡，或使所述驻极体薄膜发生电荷振荡，生成甚低频信号。

2.根据权利要求1所述的用于生成甚低频信号的信号发射元，其特征在于，在所述衬底上设置有驱动电极，所述驱动电极位于所述衬底与所述谐振区之间，用于驱动所述MEMS谐振器。

3.根据权利要求1所述的用于生成甚低频信号的信号发射元，其特征在于，所述谐振区包括：双端固支梁，所述双端固支梁的一侧设置有所述辐射层，所述双端固支梁的另一侧的两端分别通过锚点固定在所述衬底上。

4.根据权利要求1所述的用于生成甚低频信号的信号发射元，其特征在于，所述谐振区包括：单端固支梁，所述单端固支梁的一侧设置有所述辐射层，所述单端固支梁的另一侧的一端通过锚点固定在所述衬底上。

5.根据权利要求1所述的用于生成甚低频信号的信号发射元，其特征在于，所述谐振区包括：多点固支膜片，所述多点固支膜片的一侧设置有所述辐射层，所述多点固支膜片的另一侧的多个端点分别通过锚点固定在所述衬底上。

6.根据权利要求1所述的用于生成甚低频信号的信号发射元，其特征在于，所述谐振区包括：全固支膜片，所述全固支膜片的一侧设置有所述辐射层，所述全固支膜片的另一侧通过锚点固定在所述衬底上。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的用于生成甚低频信号的信号发射元，其特征在于，所述磁致伸缩薄膜内包含由诱导磁场诱导出的难轴和易轴，所述难轴和所述易轴在所述磁致伸缩薄膜的平面内互相正交。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的用于生成甚低频信号的信号发射元，其特征在于，所述磁致伸缩薄膜内设置有均匀插入的绝缘介质层。

9.一种甚低频发射器，其特征在于，包括如权利要求1至8中任一项所述的用于生成甚低频信号的信号发射元，或使用如权利要求1至8中任一项所述的用于生成甚低频信号的信号发射元生成甚低频信号。

10.一种用于生成甚低频信号的信号发射元的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上沉积金属层，在所述金属层上按照驱动电极的图形和位置覆盖光刻胶，并蚀刻未被覆盖的金属层，完成蚀刻后，去除所述光刻胶，形成驱动电极；

在形成所述驱动电极后的衬底上继续沉积支撑层，在所述支撑层上按照锚点的图形和位置覆盖光刻胶，并蚀刻未被覆盖的支撑层，完成蚀刻后，去除所述光刻胶，形成锚点；

在形成所述锚点后的衬底上继续沉积牺牲层，将所述牺牲层磨平至所述锚点的高度，在磨平后的牺牲层上沉积固支梁，并在所述固支梁上溅射辐射层；

释放所述牺牲层，得到用于生成甚低频信号的信号发射元。