[发明专利]一种Bi取代的Mn缺位Mn2

权利要求书

1.一种Bi取代的Mn缺位Mn₂Sb基合金，其特征在于，所述合金的化学式为Mn_2-ySb_1-xBi_x；

其中y为Mn原子的缺位量，x表示Bi对Sb的取代量，0y0.5，0x≤0.4；

所述Bi取代的Mn缺位Mn₂Sb基合金按照如下步骤制备：

步骤一：按照化学计量比称量Mn、Sb、Bi原料；

步骤二：采用电弧熔炼法、感应熔炼、熔体快淬、定向凝固法将所述原料制备为Bi掺杂的Mn缺位Mn₂Sb基合金，然后进行热处理，得到Bi取代的Mn缺位Mn₂Sb基合金；

采用电弧熔炼法时，所述步骤二中Bi掺杂的Mn缺位Mn₂Sb基合金的热处理为均匀化退火，退火温度为500 ℃-1000 ℃，退火时间为48h-200h；

所述Bi取代的Mn缺位Mn₂Sb基合金为具有一级磁弹性相变的磁相变材料，所述Bi取代的Mn缺位Mn₂Sb基合金材料相变附近伴随磁热、巨磁电阻、磁致应变、热膨胀的物理性质。

2.根据权利要求1所述的一种Bi取代的Mn缺位Mn₂Sb基合金，其特征在于，所述步骤一中Mn、Sb、Bi金属单质的纯度均超过99.99%。

3.根据权利要求1所述的一种Bi取代的Mn缺位Mn₂Sb基合金，其特征在于，所述均匀化退火的退火温度为500 ℃-800 ℃，退火时间为48h-120h。

4.根据权利要求1所述的一种Bi取代的Mn缺位Mn₂Sb基合金在制备高密度磁存储器件、固态制冷、巨磁阻器件、磁驱动器中的应用。