[发明专利]半导体装置和其制造方法在审
| 申请号： | 202010619571.9 | 申请日： | 2020-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN112216664A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 黄文宏;钟燕雯;孙玮筑 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/498;H01L21/48;H01Q1/22 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其包括：
天线区；和
绕线区，其安置于所述天线区上，其中所述天线区包括第一绝缘层和两个或更多个第二绝缘层，且所述第一绝缘层的厚度不同于所述第二绝缘层的厚度。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一绝缘层比所述第二绝缘层更靠近所述绕线区，且所述第一绝缘层的所述厚度大于所述第二绝缘层的所述厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述绕线区包含安置相邻于所述第一绝缘层并且与所述第二绝缘层相对的两个或更多个第三绝缘层，且所述第三绝缘层的厚度小于所述第一绝缘层的厚度。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第三绝缘层的所述厚度大致等于所述第二绝缘层的所述厚度。
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述绕线区包含安置相邻于所述第三绝缘层的第四绝缘层，且所述第四绝缘层的厚度不同于所述第三绝缘层的所述厚度。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第三绝缘层比所述第四绝缘层更靠近所述第一绝缘层，且所述第四绝缘层的所述厚度小于所述第三绝缘层的所述厚度。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述第四绝缘层的所述厚度小于所述第二绝缘层的所述厚度。
8.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第二绝缘层的数目等于所述第三绝缘层的数目。
9.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第二绝缘层包括一或多个第二导电通孔，所述第三绝缘层包括一或多个第三导电通孔，且所述第三导电通孔在形状上通过所述第一绝缘层大致匹配所述第二导电通孔。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述第四绝缘层包括一或多个第四导电通孔，且所述第四导电通孔的形状与所述第三导电通孔的形状大致相同。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述第一绝缘层包括一或多个第一导电通孔，其中所述第一导电通孔的形状不同于所述第二导电通孔和所述第三导电通孔。
12.一种半导体装置，其包括：
天线区；和
RF绕线区，其安置于所述天线区上，其中所述RF绕线区包含一或多个第一绝缘层和第二绝缘层，且所述第一绝缘层的厚度不同于所述第二绝缘层的厚度。
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述天线区包含安置相邻于所述第一绝缘层并且远离所述第二绝缘层的第三绝缘层以及安置相邻于所述第三绝缘层并且远离所述第一绝缘层的一或多个第四绝缘层。
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述第三绝缘层的厚度大于所述第一绝缘层的厚度。
15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中所述第一绝缘层的所述厚度大于所述第二绝缘层的所述厚度。
16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中所述第一绝缘层的所述厚度大致等于所述第四绝缘层的所述厚度。
17.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述第一绝缘层的数目等于所述第四绝缘层的数目。
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