[发明专利]新型边缘刻蚀反应装置和边缘刻蚀方法

权利要求书

1.一种新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，包括：

主体腔；

位于所述主体腔内的可移动上电极和晶圆夹持平台，所述可移动上电极和所述晶圆夹持平台相对设置；

位于所述主体腔内的且位于所述晶圆夹持平台侧部的射频隔离环；

位于所述主体腔内的等离子体约束环，所述等离子体约束环位于所述可移动上电极的边缘区域的底部，所述等离子体约束环与所述射频隔离环之间具有间隙；

所述可移动上电极与所述晶圆夹持平台和所述射频隔离环之间用于容纳晶圆。

2.根据权利要求1所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，所述等离子体约束环位于所述可移动上电极的边缘区域和所述射频隔离环之间区域。

3.根据权利要求2所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，所述射频隔离环包括第一隔离区域和第二隔离区域，所述第一隔离区域到晶圆夹持平台的距离大于第二隔离区到晶圆夹持平台的距离，第一隔离区至可移动上电极的距离大于或等于第二隔离区至可移动上电极的距离；

当所述第一隔离区至可移动上电极的距离大于第二隔离区至可移动上电极的距离时，所述等离子体约束环还延伸至所述第二隔离区域的侧部。

4.根据权利要求3所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，所述等离子体约束环为“L”形；所述等离子体约束环包括第一约束部分和第二约束部分，所述第一约束部分位于所述晶圆保护盘外围的所述可移动上电极的边缘底部且与所述可移动上电极连接，第二约束部分位于第一约束部分的底部且与第一约束部分连接，所述第二约束部分的横向尺寸大于第一约束部分的横向尺寸，所述第二约束部分至第二隔离区的距离小于所述第一约束部分至第二隔离区域的距离。

5.根据权利要求1所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，所述可移动上电极朝向所述晶圆夹持平台的一侧具有贯穿可移动上电极部分厚度的凹槽；所述新型边缘刻蚀反应装置还包括:位于所述凹槽内的晶圆保护盘。

6.根据权利要求5所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，还包括：第一进气通道，所述第一进气通道通过所述可移动上电极且第一进气通道的出口位于所述晶圆保护盘侧部的可移动上电极的底面，所述第一进气通道用于通入刻蚀气体。

7.根据权利要求5所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，还包括：贯穿所述可移动上电极和所述晶圆保护盘的第二进气通道，所述第二进气通道用于通入缓冲气体，所述缓冲气体包括惰性气体。

8.根据权利要求5所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，还包括：贯穿所述可移动上电极和所述晶圆保护盘的透明密封件。

9.根据权利要求8所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，所述透明密封件的材料包括石英或蓝宝石。

10.根据权利要求8所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，还包括：传片监控系统；

所述传片监控系统包括：位于所述透明密封件顶部且覆盖部分可移动上电极顶面的图像采集系统；定位测试晶圆，所述定位测试晶圆的中心点具有标记点；放片系统，所述放片系统用于将所述定位测试晶圆放置于晶圆夹持平台上;修正系统。

11.根据权利要求10所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，还包括：数据处理模块，所述数据处理模块与所述图像采集系统电学连接。

12.根据权利要求1所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，所述射频隔离环覆盖所述晶圆夹持平台的部分侧壁；

所述新型边缘刻蚀反应装置还包括：位于所述射频隔离环的部分上表面且与所述晶圆夹持平台的部分侧部接触的晶圆加持平台保护环。