[发明专利]新型边缘刻蚀反应装置和边缘刻蚀方法

权利要求书

1.一种新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，包括：

传片系统和刻蚀系统；

所述传片系统包括:腔主体;位于所述腔主体中的支撑移动平台,所述支撑移动平台包括用于水平放置晶圆的晶圆夹持板,所述晶圆夹持板可围绕垂直晶圆夹持板表面的中心轴进行旋转;

所述刻蚀系统包括:下电极;与所述下电极相对的上电极;位于所述下电极和所述上电极之间的射频隔离环;

所述射频隔离环包括:位于所述下电极外部区域的下射频隔离环;位于所述上电极外部区域的上射频隔离环,所述上射频隔离环和所述下射频隔离环之间具有间隙;

所述刻蚀系统位于所述传片系统的侧部,所述刻蚀系统和所述传片系统集成在一起;

所述晶圆的边缘区域适于通过所述间隙延伸至所述射频隔离环侧部的下电极和上电极之间。

2.根据权利要求1所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，所述上射频隔离环的内环边缘的部分区域以及所述下射频隔离环的内环边缘的部分区域为弧形边缘，所述弧形边缘在所述晶圆表面的投影图形适于与所述晶圆的边缘形状具有相同的圆心。

3.根据权利要求1所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，所述间隙的纵向尺寸适于在对晶圆边缘进行刻蚀的过程中保持在小于等于1毫米的范围。

4.根据权利要求1所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，还包括：贯穿所述上射频隔离环和所述上电极的边缘区域的第一进气通道，所述第一进气通道适于通入惰性气体；贯穿所述上电极中心区域的第二进气通道，所述第二进气通道适于通入刻蚀晶圆边缘的刻蚀气体。

5.根据权利要求1所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，还包括：贯穿所述腔主体的排气通道。

6.根据权利要求1所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，还包括：位于所述上电极上方的位置调节部件，所述位置调节部件适于在垂直于所述上电极的上表面的方向对所述上电极的位置进行调节。

7.根据权利要求1所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，所述射频隔离环的材料为低介电常数保护材料，所述低介电常数保护材料包括反应气真空介质、石英或者陶瓷；所述上电极和所述下电极为表面喷涂Al₂O₃或Y₂O₃的铝合金构件，或所述上电极和所述下电极为硅构件、或碳化硅构件。

8.根据权利要求1所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，所述晶圆的边缘区域适于延伸至所述射频隔离环侧部的下电极和上电极之间的径向尺寸为2毫米至4毫米。

9.根据权利要求1所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于，所述支撑移动平台包括：支撑座,所述支撑座为可移动支撑座，所述可移动支撑座适于在水平方向进行移动；位于所述支撑座上的旋转支撑柱，所述旋转支撑柱可围绕所述旋转支撑柱的中心轴进行匀速旋转；所述晶圆夹持板位于所述支撑柱上。

10.根据权利要求1所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于,还包括：贯穿所述腔主体顶面的探测通道；位于所述探测通道上且覆盖所述腔主体部分顶面的光学探测部件；光学反射部件，所述光学反射部件位于所述光学探测部件的下方且与所述光学探测部件相对；

所述光学探测部件适于向所述光学反射部件发射探测光，所述探测光适于部分照射在放置于所述晶圆夹持板表面的晶圆的边缘区域。

11.根据权利要求1所述的新型边缘刻蚀反应装置，其特征在于,一个新型边缘刻蚀反应装置中具有一个刻蚀系统和至少一个传片系统，所述传片系统的数量为一个、两个或者四个；

当所述传片系统的数量为两个时，两个传片系统分别设置在所述刻蚀系统的两侧，且两个传片系统相对；

当所述传片系统的数量为四个时，四个传片系统围绕所述刻蚀系统的侧部均匀分布。