[发明专利]芯片封装基板及其制作方法、芯片封装结构及封装方法在审

专利信息
申请号: 202010620108.6 申请日: 2020-06-30
公开(公告)号: CN111799243A 公开(公告)日: 2020-10-20
发明(设计)人: 吴勇军 申请(专利权)人: 深圳明阳芯蕊半导体有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/31;H01L21/48;H01L21/56
代理公司: 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 代理人: 杨敏
地址: 518101 广东省深圳市宝安区*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 芯片 封装 及其 制作方法 结构 方法
【权利要求书】:

1.一种芯片封装基板,其特征在于,所述芯片封装基板包括:

金属导电柱,用于实现层间的垂直导通;

绝缘填充层,填充在所述金属导电柱之间,所述绝缘填充层采用绝缘导热型环氧树脂复合材料;

焊线用金属层,电镀在所述金属导电柱的上部表面;

底部焊盘表面金属层,电镀在所述金属导电柱的底部表面。

2.根据权利要求1所述的芯片封装基板,其特征在于,所述绝缘导热型环氧树脂复合材料为陶瓷类或二氧化硅类环氧树脂复合材料。

3.根据权利要求2所述的芯片封装基板,其特征在于,所述金属导电柱为铜柱,所述底部焊盘表面金属层为银金层。

4.根据权利要求3所述的芯片封装基板,其特征在于,所述芯片封装基板还包括半蚀刻铜焊盘。

5.一种芯片封装基板的制作方法,其特征在于,所述制作方包括如下步骤:

(a)准备金属导电片基材并对所述基材进行预处理;

(b)涂覆湿膜并进行曝光显影;

(c)对暴露部分进行蚀刻处理,并随后去除多余的湿膜;

(d)在被蚀刻部分填充绝缘导热型环氧树脂复合材料并研磨平整;

(e)涂覆湿膜并进行曝光显影;

(f)对暴露部分进行蚀刻处理,并随后去除多余的湿膜;

(g)在被蚀刻部分填充绝缘导热型环氧树脂复合材料并研磨平整;

(h)涂覆湿膜并进行曝光处理;

(i)对暴露部分进行表面处理并随后去除多余的湿膜,所述表面处理包括电镀焊线用金属层和底部焊盘表面金属层。

6.根据权利要求5所述的制作方法,其特征在于,在步骤(f)去除湿膜之后贴附一支撑膜以防止所述基材的弯折和变形。

7.一种芯片封装结构,其特征在于,所述芯片封装结构包括一个或更多个芯片、如权利要求1至4中任一项所述的芯片封装基板以及塑封胶;

所述一个或更多个芯片中的至少一个固定在所述芯片封装基板的所述绝缘填充层上,并且所述一个或更多个芯片通过焊接金属引线与所述芯片封装基板的所述焊线用金属层电气连接,所述塑封胶涂覆在所述芯片封装基板和所述一个或更多个芯片上方以对所述一个或更多个芯片进行塑封。

8.根据权利要求7所述的芯片封装结构,其特征在于,所述塑封胶为环氧树脂光学胶,并且在所述芯片封装基板的下表面还贴覆有一层PI膜。

9.根据权利要求8所述的芯片封装结构,其特征在于,在所述芯片封装基板的上部表面芯片的外围还设有围坝。

10.一种芯片封装方法,其特征在于,所述芯片封装方法包括:

(i)根据如权利要求5-6中任一项所述的方法制作芯片封装基板;

(ii)将一个或多个芯片固定在所述芯片封装基板上,并通过焊接金属引线将所述一个或多个芯片与所述芯片封装基板上的所述焊线用金属层电气连接;

(iii)在所述芯片封装基板和所述一个或多个芯片上方涂覆塑封胶以对所述一个或多个芯片进行塑封。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳明阳芯蕊半导体有限公司,未经深圳明阳芯蕊半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010620108.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top