[发明专利]包含量子点层的光转换膜、包含光转换膜的显示装置用背光单元和量子点分散体的制造方法

权利要求书

1.一种光转换膜，其包括形成在量子点层的上表面上的第一透明支撑层和形成在量子点层的下表面上的第二透明支撑层，并且其厚度为120至400μm，

其中，基于所述量子点层的总重量，所述量子点层包含：0.4至2.0重量％的量子点颗粒，所述量子点颗粒含有5重量％以上且小于35重量％的镉；0.05至0.75重量％的无镉量子点颗粒；0.1至10重量％的散射剂；以及75至98重量％的基质材料，并且

其中，所述膜中的镉含量为10至100ppm。

2.如权利要求1所述的光转换膜，其特征在于，含有5重量％以上且小于35重量％的镉的量子点颗粒的最大吸收波长为525至540nm，且所述无镉量子点颗粒的最大吸收波长为625至640nm。

3.如权利要求1所述的光转换膜，其特征在于，含有5重量％以上且小于35重量％的镉的量子点颗粒的半峰全宽为20至30nm，且所述无镉量子点颗粒的半峰全宽为35至50nm。

4.如权利要求3所述的光转换膜，其特征在于，含有5重量％以上且小于35重量％的镉的量子点颗粒的平均粒径为2.0至4.0nm，且所述无镉量子点颗粒的平均粒径为5.0至7.0nm。

5.如权利要求1所述的光转换膜，其特征在于，基于1摩尔的镉，含有5重量％以上且小于35重量％的镉的量子点颗粒含有0.1至4.5摩尔的选自镉以外的II族和III族元素中的一种或多种，且含有0.5至6.0摩尔的选自V族和VI族元素中的一种或多种。

6.如权利要求1所述的光转换膜，其特征在于，基于1摩尔的选自镉(Cd)以外的II族和III族元素中的一种或多种，所述无镉量子点颗粒含有0.2至4.0摩尔的选自V族和VI族元素中的一种或多种。

7.如权利要求1所述的光转换膜，其特征在于，所述量子点层的镉含量为400至3000ppm。

8.如权利要求1所述的光转换膜，其特征在于，所述量子点层的厚度为20至100μm，且所述第一透明支撑层和所述第二透明支撑层各自独立地具有50至150μm的厚度。

9.如权利要求1所述的光转换膜，其特征在于，所述基质材料包含一种或多种(甲基)丙烯酸酯类化合物和一种或多种光引发剂。

10.如权利要求9所述的光转换膜，其特征在于，所述(甲基)丙烯酸酯类化合物为选自由(甲基)丙烯酸酯化单体、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物、聚酯(甲基)丙烯酸酯低聚物和环氧(甲基)丙烯酸酯低聚物组成的组中的一种或多种。

11.如权利要求9所述的光转换膜，其特征在于，所述基质材料进一步包含多硫醇类化合物。

12.一种显示装置用背光单元，其包括权利要求1所述的光转换膜。

13.如权利要求12所述的显示装置用背光单元，其特征在于，所述显示装置用背光单元包括：导光板；设置在所述导光板下方的反射板；设置在所述导光板的一侧上的多个发光元件；设置在所述导光板的上方的光转换膜；和设置在所述光转换膜的上方的亮度增强膜。

14.如权利要求13所述的显示装置用背光单元，其特征在于，所述发光元件是发蓝光二极管。