[发明专利]改善铝线中铜析出缺陷的方法在审
申请号: | 202010620698.2 | 申请日: | 2020-07-01 |
公开(公告)号: | CN111883456A | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 刘俊 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 焦健 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改善 铝线中铜 析出 缺陷 方法 | ||
1.一种改善铝线中铜析出缺陷的方法,其特征在于:当在对晶圆进行加工,机台设备由于异常而出现报警停止运转时,立即升起晶圆承台上的举升顶针,使晶圆脱离高温的晶圆承台,避免晶圆承台热传导使晶圆处于长期高温而导致铜从铝中析出。
2.如权利要求1所述的改善铝线中铜析出缺陷的方法,其特征在于:所述的机台设备是铝淀积之后所使用到的设备,指包含金属溅射设备、金属刻蚀设备、干法去胶设备、化学气相沉积设备。
3.如权利要求1所述的改善铝线中铜析出缺陷的方法,其特征在于:所述晶圆承台为晶圆加工过程中放置晶圆的工作台;所述晶圆承台的的举升顶针,在机台设备正常运作时,收缩到晶圆承台内部,使晶圆紧贴于晶圆承台表面。
4.如权利要求1所述的改善铝线中铜析出缺陷的方法,其特征在于:所述晶圆上包含有铝线或者是铝薄膜,即完成铝淀积之后的晶圆;所述的铝线或铝薄膜掺有0.5%质量比的铜。
5.如权利要求2所述的改善铝线中铜析出缺陷的方法,其特征在于:所述的机台设备在处于报警时会立即停止运转。
6.如权利要求5所述的改善铝线中铜析出缺陷的方法,其特征在于:所述的机台设备报警是指硅片背面气压、气压、MFC流量、RF射频功率、RF反射波参数异常时机台设备报警。
7.如权利要求1所述的改善铝线中铜析出缺陷的方法,其特征在于:所述的机台内部温度达到200摄氏度以上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造