[发明专利]一种用于单晶硅生长炉的复合隔热结构及单晶硅生长炉有效
| 申请号： | 202010621637.8 | 申请日： | 2020-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN111893561B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 魏星;李名浩;栗展;魏涛;刘赟;薛忠营 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/16 | 分类号： | C30B15/16;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 单晶硅 生长 复合 隔热 结构 | ||
1.一种用于单晶硅生长炉热屏的复合隔热结构，其特征在于，包括支撑层(10)以及制备在所述支撑层(10)上的层叠结构(20)，所述层叠结构(20)包括第一折射层(21)和第二折射层(22)，所述第一折射层(21)的折射率与所述第二折射层(22)的折射率不同，所述第一折射层(21)和所述第二折射层(22)相互交替设置,所述第一折射层(21)和所述第二折射层(22)通过物理气相沉积、化学气相沉积或化学机械抛光工艺逐层制备在所述支撑层(10)上,所述层叠结构(20)与所述支撑层(10)通过所述第一折射层(21)相连接，或所述层叠结构(20)与所述支撑层(10)通过所述第二折射层(22)相连接,所述第一折射层(21)均由硅制得，所述第一折射层(21)的厚度在0 .1μm-1μm的范围内，所述第一折射层(21)的粗糙度小于1 .5A。
2.根据权利要求1所述的一种用于单晶硅生长炉热屏的复合隔热结构，其特征在于，所有所述第二折射层(22)均由二氧化硅制得，所述第二折射层(22)的厚度在0 .1μm-1μm的范围内，所述第二折射层(22)的粗糙度小于2A。
3.根据权利要求1所述的一种用于单晶硅生长炉热屏的复合隔热结构，其特征在于，所有所述第二折射层(22)均由氮化硅制得，所述第二折射层(22)的厚度在0 .1μm-1μm的范围内，所述第二折射层(22)的粗糙度小于2A。
4.根据权利要求1所述的一种用于单晶硅生长炉热屏的复合隔热结构，其特征在于，所述层叠结构(20)中至少有一个所述第二折射层(22)由氧化硅制得，且所述层叠结构(20)中至少有一个所述第二折射层(22)由氮化硅制得。
5.根据权利要求2或3或4所述的一种用于单晶硅生长炉热屏的复合隔热结构，其特征在于，所述支撑层(10)由硅、二氧化硅或钼制得，所述支撑层(10)的厚度在1mm-3mm范围内。
6.根据权利要求1所述的一种用于单晶硅生长炉热屏的复合隔热结构，其特征在于，所述复合隔热结构还设有封装层，所述封装层用于将所述支撑层(10)和所述层叠结构(20)封装。
7.一种单晶硅生长炉，其特征在于，包括炉体、坩埚、加热器、热屏和如权利要求1至6任意一项所述的复合隔热结构，所述复合隔热结构设置在所述热屏上；
所述炉体内设有容腔；
所述坩埚设置在所述容腔内，所述坩埚用于承载供单晶硅生长的熔体；
所述加热器设置在所述坩埚与所述炉体之间，所述加热器用于提供单晶硅生长所需的热场；
所述热屏设置在所述坩埚的上方，所述热屏用于反射所述坩埚内熔体散发的热能，所述复合隔热结构设置在所述热屏靠近所述坩埚的一侧和/或所述复合隔热结构设置在所述坩埚靠近生长出的单晶硅的一侧。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新昇半导体科技有限公司，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新昇半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010621637.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种带有冷却结构的高温锥阀
- 下一篇：一种用于隔绝热量的热屏障装置及熔炼炉
