[发明专利]一种用于隔绝热量的热屏障装置及熔炼炉在审

专利信息
申请号: 202010621665.X 申请日: 2020-07-01
公开(公告)号: CN111893557A 公开(公告)日: 2020-11-06
发明(设计)人: 薛忠营;刘赟;魏星;栗展;魏涛;李名浩 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新昇半导体科技有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;贾允
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 隔绝 热量 屏障 装置 熔炼炉
【权利要求书】:

1.一种用于隔绝热量的热屏障装置,其特征在于,包括:热屏障机构(1)和隔热机构(2);

所述热屏障机构(1)包括屏底(11)和屏壁(12),所述屏底(11)为双层结构,所述双层结构的内部设有容置空腔(111),所述容置空腔(111)的高度不得小于预设高度,所述屏底(11)中心设有通孔(111),所述通孔(111)用于通过待提拉的熔体,所述屏蔽(12)设置在与所述通孔(111)相对的所述屏底(11)的侧面;

所述隔热机构(2)设置在所述容置空腔(112)内部,所述隔热机构(2)包括隔热件(21)和保温件(22),所述隔热件(21)设置在所述屏底(11)靠近坩埚液面的层板上方,所述述隔热件(21)的距所述屏底(11)靠近坩埚液面的层板的距离不得大于预设距离,所述隔热件(21)用于完全隔绝所述坩埚的热量散发至所述用于隔绝热量的热屏障装置内,所述容置空腔(112)内部除所述隔热件(21)外,全部填充所述保温件(22)。

2.根据权利要求1所述的一种用于隔绝热量的热屏障装置,其特征在于,

所述屏底(11)包括第一层板(113)、第二层板(114)和侧板(115),所述第一层板(113)、所述第二层板(114)和所述侧板(115)围成所述通孔(111)。

3.根据权利要求2所述的一种用于隔绝热量的热屏障装置,其特征于,所述第一层板(113)、所述第二层板(114)、所述侧板(115)和所述屏壁(12)围成容置空腔(112)。

4.根据权利要求3所述的一种用于隔绝热量的热屏障装置,其特征于,所述第一层板(113)靠近坩埚,同时所述第二层板(114)远离所述坩埚。

5.根据权利要求4所述的一种用于隔绝热量的热屏障装置,其特征在于,所述第二层板(112)向所述屏壁(12)方向倾斜,所述第二层板(114)的倾斜角度为1°~10°。

6.根据权利要求1所述的一种用于隔绝热量的热屏障装置,其特征在于,所述预设高度范围为30~50mm。

7.根据权利要求1所述的一种用于隔绝热量的热屏障装置,其特征在于,所述预设距离的范围为0~50mm。

8.根据权利要求1所述的一种用于隔绝热量的热屏障装置,其特征在于,所述屏壁(12)为单层结构,所述单层结构的一端与所述第一层板(113)连接,所述单层结构的另一端与炉体内壁连接。

9.根据权利要求1所述的一种用于隔绝热量的热屏障装置,其特征在于,所述屏壁(12)为双层结构,所述双层结构的一端分别与所述第一层板(113)和所述第二层板(114)连接,所述双层结构的另一端与炉体内壁连接,所述双层结构的内部填充所述保温件(22)。

10.一种熔炼炉,所述熔炼炉用于单硅晶体生长,其特征在于,包括如权利要求1~9项中任意一项所述的屏障装置,坩埚和加热器,所述熔炼炉具有空腔结构,所述空腔结构内设有所述坩埚,所述坩埚用于承载熔体,所述加热器设置在所述坩埚外部,所述加热器用于加热所述坩埚内的单硅晶熔体,所述屏障装置设置在所述坩埚端口上方,通过所述屏障装置的移动使单硅晶熔体生长。

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