[发明专利]一种转移基板、显示面板及转移方法有效
申请号: | 202010622522.0 | 申请日: | 2020-06-30 |
公开(公告)号: | CN111755378B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 赵剑;李小和;胡浩旭 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L27/15;H01L33/48;H01L33/62;G09G3/32 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 转移 显示 面板 方法 | ||
1.一种转移基板,其特征在于,包括阵列排布的多个待放物设置区;多个所述待放物设置区包括n种类型;其中,n为正整数,且n≥2;
所述转移基板还包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板一侧的阻挡层;每个所述待放物设置区的所述阻挡层设置有容置凹槽;
至少n-1种类型的待放物设置区的容置凹槽内设置有相变材料;在未放置所述待放物时所述相变材料为固态,在转移所述待放物至同种类型的所述待放物设置区时,同种类型的所述待放物设置区的所述相变材料变为液态或气态。
2.根据权利要求1所述的转移基板,其特征在于,多个所述待放物设置区包括n种不同波段的发光元件设置区。
3.根据权利要求1所述的转移基板,其特征在于,当n≥3时,不同类型的待放物设置区的容置凹槽内设置的相变材料的相变温度不同。
4.根据权利要求1所述的转移基板,其特征在于,第j种类型待放物设置区的容置凹槽内无相变材料;
其中,j为小于等于n的正整数。
5.根据权利要求1所述的转移基板,其特征在于,当n≥3时,n种类型的待放物设置区的容置凹槽内设置的相变材料的相变温度差值大于等于4℃。
6.根据权利要求1所述的转移基板,其特征在于,n种类型的待放物设置区的容置凹槽内均设置有相变材料;
且所有容置凹槽内的相变材料的相变温度相同。
7.根据权利要求1所述的转移基板,其特征在于,还包括至少一条加热线;所述加热线用于控制所述相变材料相变。
8.根据权利要求7所述的转移基板,其特征在于,所述加热线位于所述衬底基板和所述阻挡层之间。
9.根据权利要求7所述的转移基板,其特征在于,同种类型的所述待放物设置区的容置凹槽内设置的相变材料由同一所述加热线控制相变。
10.根据权利要求7所述的转移基板,其特征在于,阵列排布的多个所述待放物设置区中,位于同一列或者同一行的同种类型的所述待放物设置区的容置凹槽内设置的相变材料由同一所述加热线控制相变。
11.根据权利要求7所述的转移基板,其特征在于,所述加热线包括第一部和第二部;
所述第二部在所述衬底基板所在平面的垂直投影与所述容置凹槽在所述衬底基板所在平面的垂直投影至少部分交叠;
或者,所述第二部在所述衬底基板所在平面的至少部分垂直投影围绕所述容置凹槽在所述衬底基板所在平面的垂直投影。
12.根据权利要求11所述的转移基板,其特征在于,所述第二部的单位长度电阻大于所述第一部的单位长度电阻。
13.根据权利要求11所述的转移基板,其特征在于,所述第二部在所述衬底基板所在平面的垂直投影的形状包括直线形、折线型或曲线形中的至少一种。
14.根据权利要求2所述的转移基板,其特征在于,还包括像素驱动电路阵列;所述像素驱动电路阵列位于所述阻挡层与所述衬底基板之间;
所述像素驱动电路阵列包括阵列排布的像素驱动电路;所述像素驱动电路与所述容置凹槽一一对应设置。
15.根据权利要求14所述的转移基板,其特征在于,所述像素驱动电路阵列还包括多条数据线;多条所述数据线与阵列排布的多列像素驱动电路一一对应电连接;所述数据线复用为加热线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造