[发明专利]集成电路、集成电路的电容器阵列以及用于制造集成电路的方法在审
申请号: | 202010622833.7 | 申请日: | 2020-07-01 |
公开(公告)号: | CN112185962A | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | K·K·穆图克里希南;A·J·斯赫林斯凯 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 电容器 阵列 以及 用于 制造 方法 | ||
1.一种集成电路,其包括:
多个水平排列成二维2D网格的特征;
所述2D网格包括平行四边形单位单元,所述平行四边形单位单元具有四个网格点并且在成对的所述四个网格点之间具有四个直线侧边,所述平行四边形单位单元具有横跨在所述四个网格点中的两个对角线上对置的网格点之间的直线对角线,所述直线对角线比所述四个直线侧边中的每一个都要长;且
所述各个特征处于所述四个网格点中的一个处并且沿着相对于所述四个直线侧边中的每一个水平地成角度的方向占据水平拉长的最大水平区域。
2.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述方向平行于或沿着所述直线对角线。
3.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述方向与以下两者成角度:a)所述四个直线侧边中的每一个,和b)所述平行四边形单位单元的所有直线对角线。
4.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述直线对角线是较长直线对角线,所述平行四边形单位单元包括横跨在所述四个网格点中的另两个对角线上对置的网格点之间的较短直线对角线。
5.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述最大水平区域各自的横向中心处于其相应一个网格点上。
6.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述最大水平区域各自的纵向中心处于其相应一个网格点上。
7.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述最大水平区域各自的中心处于其相应一个网格点上。
8.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述最大水平区域各自的中心不处于其相应一个网格点上。
9.根据权利要求8所述的集成电路,其中所述最大水平区域各自的中心以正交于所述直线对角线的方式从其相应一个网格点偏移。
10.根据权利要求9所述的集成电路,其中所述方向平行于所述直线对角线。
11.根据权利要求8所述的集成电路,其中所述最大水平区域各自的中心沿着所述方向从其相应一个网格点偏移。
12.根据权利要求11所述的集成电路,其中所述方向沿着所述直线对角线。
13.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述各个特征在所述集成电路中具电路操作性。
14.根据权利要求13所述的集成电路,其中所述各个特征包括电容器的电容器电极。
15.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述各个特征在所述集成电路中不具电路操作性。
16.根据权利要求15所述的集成电路,其中所述各个特征包括绝缘材料。
17.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述2D网格是正方形。
18.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述2D网格是矩形。
19.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述四个直线侧边中任一个都不会与所述四个直线侧边中的另一个90°相交。
20.根据权利要求19所述的集成电路,其中所述2D网格是倾斜的。
21.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述2D网格是布拉维网格。
22.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述平行四边形单位单元仅具有四个网格点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的