[发明专利]高电子迁移率晶体管及高压半导体装置在审
| 申请号： | 202010623811.2 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113871476A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 黄嘉庆;陈志谚;吴俊仪;萧智仁 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L29/45;H01L29/47;H01L29/08 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 刘莉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 高压 半导体 装置 | ||
1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：
一三五族沟道层、一三五族阻挡层、以及一三五族盖层，依序设置于一基底上；
一源极电极，设置于所述三五族盖层的一侧；
一第一漏极电极及一第二漏极电极，设置于所述三五族盖层的另一侧，其中所述第一漏极电极的底面分离于所述第二漏极电极的底面，且所述第一漏极电极的组成不同于所述第二漏极电极的组成；以及
一连接部，电连接至所述第一漏极电极以及所述第二漏极电极。
2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述第一漏极电极的底面高于所述第二漏极电极的底面。
3.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述第一漏极电极的底面及所述第二漏极电极的底面各自接触不同的层。
4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述第一漏极电极和所述三五族阻挡层之间包括一肖特基接触，所述第二漏极电极和所述三五族沟道层之间包括一欧姆接触。
5.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述连接部包括一导电插塞或一导电连线，其中所述连接部的组成相同于所述第一漏极电极的组成或所述第二漏极电极的组成。
6.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，还包括：
一层间介电层，设置于所述三五族阻挡层之上且包括一第一漏极接触洞以及一第二漏极接触洞，其中所述第一漏极接触洞分离于所述第二漏极接触洞；
所述第一漏极电极，设置于所述第一漏极接触洞内；以及
所述第二漏极电极，设置于所述第二漏极接触洞内。
7.如权利要求6所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述层间介电层还包括一栅极接触洞，设置于所述三五族盖层的顶面之上。
8.如权利要求7所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，还包括一栅极电极，设置于所述栅极接触洞中，其中所述栅极电极的组成相同于所述第一漏极电极的组成。
9.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述第一漏极电极的材料包括TiN、W、Pt、Ni或Ni/Au。
10.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述第二漏极电极的材料包括Ti/Al、Ti/Al/Ti/TiN、Ti/Al/Ti/Au、Ti/Al/Ni/Au或Ti/Al/Mo/Au。
11.一种高压半导体装置，其特征在于，包括：
一半导体层，设置于一基底上；
一半导体盖层，设置于所述半导体层之上；
一源极电极，设置于所述半导体盖层的一侧；
至少两个漏极电极，设置于所述半导体盖层的另一侧，其中所述至少两个漏极电极各自包括一肖特基接触金属以及一欧姆接触金属；以及
一层间介电层，设置于所述肖特基接触金属以及所述欧姆接触金属之间。
12.如权利要求11所述的高压半导体装置，其特征在于，所述肖特基接触金属电连接至所述欧姆接触金属。
13.如权利要求11所述的高压半导体装置，其特征在于，还包括一栅极电极，电连接至所述半导体盖层，其中所述栅极电极的组成相同于所述肖特基接触金属的组成。
14.如权利要求11所述的高压半导体装置，其特征在于，还包括一导电插塞，设置于所述肖特基接触金属上，其中所述导电插塞电连接至所述肖特基接触金属以及所述欧姆接触金属。
15.如权利要求14所述的高压半导体装置，其特征在于，所述导电插塞的组成相同于所述欧姆接触金属或所述肖特基接触金属的组成。
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