[发明专利]一种背板及其制作方法、显示装置及其制作方法

权利要求书

1.一种背板，其特征在于，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上的电极层，所述电极层包括多个电极对，每一所述电极对包括第一电极和第二电极；

位于所述电极层上的平坦层，所述第一电极和所述第二电极在垂直于所述衬底基板方向上的厚度大于所述平坦层在垂直于所述衬底基板方向上的厚度；

依次设置于所述平坦层上的第一介质层和第二介质层，所述第一介质层的位于所述第一电极和所述第二电极的正上方的区域形成有第一凹陷结构，所述第二介质层的位于所述第一凹陷结构的正上方的区域形成有第二凹陷结构，所述第一凹陷结构的深度小于等于所述第一介质层的厚度，所述第二凹陷结构的深度等于所述第二介质层的厚度，所述第一凹陷结构的平行于所述衬底基板的横截面尺寸大于所述第二凹陷结构的平行于所述衬底基板的横截面尺寸，所述第一电极和所述第二电极分别与一所述第一凹陷结构连通。

2.根据权利要求1所述的背板，其特征在于，相同刻蚀条件下，所述第一介质层的刻蚀速率比所述第二介质层的刻蚀速率至少快10倍。

3.根据权利要求1所述的背板，其特征在于，所述第一介质层为氮化硅层，所述第二介质层为氧化硅层。

4.根据权利要求1所述的背板，其特征在于，还包括：

设置与所述第二介质层上的绝缘挡墙，所述绝缘挡墙位于同一所述电极对上方的两个所述第二凹陷结构之间。

5.根据权利要求1所述的背板，其特征在于，所述第一介质层的厚度为0.4～0.6μm，所述第二介质层的厚度为0.2～0.3μm。

6.一种背板的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上形成电极层，所述电极层包括多个电极对，每一所述电极对包括第一电极和第二电极；

在所述电极层上形成平坦层，所述第一电极和所述第二电极在垂直于所述衬底基板方向上的厚度大于平坦层在垂直于所述衬底基板方向上的厚度；

依次形成位于所述平坦层上的第一介质层和第二介质层，在所述第一介质层的位于所述第一电极和所述第二电极的正上方的区域形成第一凹陷结构，在所述第二介质层的位于所述第一凹陷结构的正上方的区域形成第二凹陷结构，所述第一凹陷结构的深度小于等于所述第一介质层的厚度，所述第二凹陷结构的深度等于所述第二介质层的厚度，所述第一凹陷结构的平行于所述衬底基板的横截面尺寸大于所述第二凹陷结构的平行于所述衬底基板的横截面尺寸，所述第一电极和所述第二电极分别与一所述第一凹陷结构连通。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第一介质层为氮化硅层，所述第二介质层为氧化硅层，所述在所述第一介质层的位于所述第一电极和所述第二电极的正上方的区域形成第一凹陷结构，在所述第二介质层的位于所述第一凹陷结构的正上方的区域形成第二凹陷结构的步骤，包括：

采用包含SF₆、O₂以及He的干刻混合气体对所述第一介质层和所述第二介质层的位于所述第一电极和所述第二电极的正上方的区域进行刻蚀，其中，所述SF₆的流量为300～500sccm，所述O₂的流量为100～200sccm，所述He的流量为100～200sccm。

8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第一介质层为氮化硅层，所述第二介质层为氧化硅层，所述依次形成位于所述平坦层上的第一介质层和第二介质层的步骤中：

所述氮化硅层的沉积温度控制在200～300℃，所述氧化硅层的沉积温度控制在300～400℃，以使相同刻蚀条件下所述氮化硅层的刻蚀速率比所述氧化硅层的刻蚀速率至少快10倍。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5中任一项所述的背板，还包括：

若干电子元件，每一所述电子元件的两个电极引脚分别对应位于同一电极对上方的第一凹陷结构和第二凹陷结构内、并分别与所述第一凹陷结构内的第一电极和第二电极接触导通。