[发明专利]一种选择性发射极的制备方法和太阳能电池

权利要求书

1.一种选择性发射极的制备方法，包括：

提供硅基底，在硅基底的表面形成掺杂层，所述掺杂层包括掺杂元素且具有第一掺杂浓度；

在所述掺杂层的表面形成掩膜；

从所述掩膜中去除一部分材料，露出掺杂层，以形成至少一个第一区域；掩膜未被去除的区域为至少一个第二区域；

对包括所述掩膜的掺杂层进行高温氧化处理，以在所述至少一个第一区域形成氧化层；其中，所述至少一个第一区域的部分掺杂元素析出至所述氧化层，被所述掩膜覆盖的掺杂层的所述至少一个第二区域被保护，所述至少一个第二区域不会形成氧化层，所述至少一个第一区域具有第二掺杂浓度，且所述第二掺杂浓度小于所述第一掺杂浓度；所述高温氧化处理后得到的氧化物层的厚度为40-300nm；以及

去除所述掩膜和所述氧化层，得到选择性发射极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述高温氧化处理使用的氧化剂包括氧气和/或H₂O。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述高温氧化处理在500-1200℃的温度下进行。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在进行所述高温氧化处理后对硅基底的表面进行退火处理。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述掩膜包括氧化硅、氮化硅、碳化硅或有机薄膜中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述掩膜的厚度大于或等于20nm。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述至少一个第一区域的方阻范围为20-130ohm/sq，所述至少一个第二区域的方阻范围为80-400ohm/sq，且所述至少一个第一区域的方阻大于所述至少一个第二区域的方阻。

8.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池至少包括：硅基底以及位于所述硅基底上的选择性发射极，其中，所述选择性发射极采用权利要求1-7任一项所述的方法制备。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括：

位于所述硅基底表面的至少一层钝化层；以及

与所述选择性发射极形成欧姆接触的电极，所述电极用于收集电流。