[发明专利]双面无机半透明CsPbBr3

权利要求书

1.一种双面无机半透明CsPbBr₃薄膜钙钛矿太阳电池，其特征在于，包括透明衬底以及依次层叠在所述透明衬底上的第一光学耦合层、第一金属透明电极、第一传输层、CsPbBr₃钙钛矿吸光层、第二传输层、第二金属透明电极和第二光学耦合层。

2.如权利要求1所述的双面无机半透明CsPbBr₃薄膜钙钛矿太阳电池，其特征在于，所述透明衬底的透光率大于等于80％，所述透明衬底的材料包括玻璃、双抛蓝宝石、PET柔性材料中的任一种。

3.如权利要求1所述的双面无机半透明CsPbBr₃薄膜钙钛矿太阳电池，其特征在于，所述第一光学耦合层和所述第二光学耦合层的折射率均大于或等于2，材料均包括MoO₃、V₂O₅、TeO₂、Al₂O₃、LiF、MgF₂、SiO₂中的任一种，厚度均为25～35nm。

4.如权利要求1所述的双面无机半透明CsPbBr₃薄膜钙钛矿太阳电池，其特征在于，所述第一金属透明电极和所述第二金属透明电极的透光率均大于或等于80％，厚度均为9～12nm，所述第一金属透明电极和所述第二金属透明电极的材料均包括Au、Ag中的任一种。

5.如权利要求1所述的双面无机半透明CsPbBr₃薄膜钙钛矿太阳电池，其特征在于，所述第一传输层包括电子传输层、空穴传输层中的任一种，所述第二传输层包括电子传输层、空穴传输层中的另一种。

6.如权利要求5所述的双面无机半透明CsPbBr₃薄膜钙钛矿太阳电池，其特征在于，所述电子传输层的材料采用n型半导体材料，所述n型半导体材料包括TiO₂、SnO₂、ZnO、PCBM中的任一种；

所述空穴传输层的材料采用p型半导体材料，所述p型半导体材料包括spiro-OMeTAD、P3HT、PEDOT：PSS、NiO_x中的任一种。

7.一种双面无机半透明CsPbBr₃薄膜钙钛矿太阳电池的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S1、利用热蒸发技术在透明衬底上制备第一光学耦合层；

S2、利用热蒸发技术在所述第一光学耦合层上制备第一金属透明电极；

S3、利用溶液旋涂法在所述第一金属透明电极上淀积形成第一传输层；

S4、利用两步溶液旋涂法在所述第一传输层上生成CsPbBr₃钙钛矿吸光层；

S5、利用溶液旋涂法在所述CsPbBr₃钙钛矿吸光层上淀积形成第二传输层；

S6、利用热蒸发技术在所述第二传输层上制备第二金属透明电极；

S7、利用热蒸发技术在所述第二金属透明电极上制备第二光学耦合层。

8.如权利要求7所述的双面无机半透明CsPbBr₃薄膜钙钛矿太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第一光学耦合层和所述第二光学耦合层的制备条件均为：生长温度为600℃，生长压力为1E-4Pa，生长速率为

9.如权利要求7所述的双面无机半透明CsPbBr₃薄膜钙钛矿太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第一金属透明电极和所述第二金属透明电极的制备条件均为：生长压力为1E-4Pa，生长速率为

10.如权利要求7所述的双面无机半透明CsPbBr₃薄膜钙钛矿太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤S4包括：

在所述第一传输层上以2000rpm的转速旋涂钙钛矿前驱体溶液，旋涂时间为30s，然后90℃退火30min，制备得到钙钛矿前驱体层；

在所述钙钛矿前驱体层上以2000rpm的转速旋涂CsBr溶液，旋涂时间为30s，然后在250℃退火5min，形成钙钛矿层；

利用异丙醇溶液在2000rpm的转速下冲洗所述钙钛矿层，旋转时间为30s，然后在250℃退火5min，形成所述CsPbBr₃钙钛矿吸光层。