[发明专利]基于不同发光波长的LED对特定波长范围的光的探测方法在审
申请号: | 202010626399.X | 申请日: | 2020-07-02 |
公开(公告)号: | CN111854937A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 崔予红 | 申请(专利权)人: | 成都维客昕微电子有限公司 |
主分类号: | G01J1/42 | 分类号: | G01J1/42 |
代理公司: | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人: | 袁英 |
地址: | 610000 四川省成都市高新区(西*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 不同 发光 波长 led 特定 范围 探测 方法 | ||
本发明公开了基于不同发光波长的LED对特定波长范围的光的探测方法,方法包括以下步骤:利用不同LED对于不同光波段有不同响应的特点,采用LED作为光感器件,并将光感器件置于相应光照环境下,对相应光的强度进行探测;通过相应转换电路,将LED的PN结受到光照产生的光电流转换成感光电压;将输出的电压按照感光电压与光照强度之间表征关系进行换算,从而得出光感器件探测的对应光的强度。本方案采用成本较低的LED来对光进行探测,这样不仅可以具有良好的响应速度,还可以大幅减少其他成分光的干扰,并且能够大幅降低传感器成本,节约资源,使用便利。
技术领域
本发明一般地涉及光电传感器领域,尤其涉及基于不同发光波长的LED对特定波长范围的光的探测方法。
背景技术
目前市面上用于光电探测传感器种类较多,大致可以分为三种。第一种是CCD与CMOS,这一类传感器大多用于图像传感与成像分析。第二种是光敏电阻,采用光敏材料做成电阻,当有光照时电阻阻值发生变化,从而探测光照强度。第三种则是较为常见的光电二极管,采用较大PN结的形式,将光子激发电子形成光生载流子,从而进行光电探测。但是相较于本发明所公布的光探测器件,这些产品都具有如下问题:
1)就CCD与CMOS而言,大多数这样的传感器用于图像采集,并且他们大多数结构都十分复杂且不利于对光进行探测;
2)然而光敏电阻对环境温度敏感,且响应速度较为缓慢;
3)光电二极管成本较高,面积较大,使用不便利。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供基于不同发光波长的LED对特定波长范围的光的探测方法,解决现有光探测传感器的结构复杂,面积过大,响应速度不高,成本较高等缺点。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:
基于不同发光波长的LED对特定波长范围的光的探测方法,方法包括以下步骤:
S1,采用LED作为光感器件,并将光感器件置于光照环境下,对特定波长范围内可探测光的强度进行探测;
S2,通过相应转换电路,将LED的PN结受到光照产生的光电流转换成感光电压;
S3,将输出的电压按照感光电压与光照强度之间表征关系进行换算,从而得出光感器件探测的对应光的强度。
具体的,所述步骤S1中的LED包括紫光LED、蓝光LED、绿光LED、黄光LED、橙光LED、红光LED和红外光LED。
具体的,所述步骤S1中特定波长范围内可探测光的范围为280nm~780nm。
具体的,所述步骤S3中感光电压与光照强度之间的表征关系如下式所示:V=K*E,其中,V为感光电压,E为光照强度,K由相应电路的系数与LED的感光因素共同决定,K0。
本发明的有益效果:本方案采用成本较低的LED来对光进行探测,这样不仅可以具有良好的响应速度,还可以大幅减少其他成分光的干扰,并且能够大幅降低传感器成本,节约资源,使用便利。
附图说明
图1是本发明的方法流程图。
图2是本发明的LED对应探测光的波长范围图。
图3本发明的光电流生成原理图。
图4是本发明的光照强度采集电路结构图。
图5是本发明第一实施例在400nm波长紫光条件下感光实验对比数据图。
图6是本发明第一实施例在365nm波长紫外光条件下感光实验对比数据图。
图7是本发明第一实施例在285nm波长紫外光条件下感光实验对比数据图。
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