[发明专利]电容倍增电路和线性稳压器

权利要求书

1.一种电容倍增电路，其特征在于，包括：

等效电容模块，包括片上电容，所述等效电容模块用于向稳压节点提供等效电容，所述等效电容的电容值为所述片上电容的电容值的数倍，所述等效电容模块采用电流模式电容倍增技术，所述等效电容模块还包括第一晶体管、第二晶体管以及偏置电流源；所述第二晶体管的漏极连接至所述稳压节点，源极接地，所述片上电容连接在所述第二晶体管的漏极和栅极之间；所述第一晶体管的源极接地，栅极和漏极均连接至所述第二晶体管的栅极；所述偏置电流源的输出端连接至所述第一晶体管的漏极，输入端连接至负反馈模块；

负反馈模块，所述负反馈模块连接至所述等效电容模块和所述稳压节点，包括若干对镜像连接的晶体管，用于在所述稳压节点的电压发生过冲或下冲时，通过镜像所述稳压节点处产生的瞬态电流，而产生向所述稳压节点反馈的补偿电流，所述补偿电流与所述稳压节点处产生的瞬态电流的大小相同，方向相反；

所述负反馈模块包括：第一镜像单元、第二镜像单元和第三镜像单元以及第三晶体管；所述第三晶体管与所述第一晶体管镜像连接，所述第三晶体管的栅极连接至所述第一晶体管的栅极，源极接地；所述第一镜像单元包括镜像连接的第九晶体管和第八晶体管，所述第九晶体管的源极连接至输入电压端，漏极连接栅极，且连接至所述偏置电流源的输入端以及所述第八晶体管的栅极；所述第八晶体管的源极连接至输入电压端，漏极连接至所述第三晶体管的漏极；所述第二镜像单元包括镜像连接的第四晶体管和第五晶体管，所述第四晶体管的源极和第五晶体管的源极接地，第四晶体管的栅极和漏极连接，且连接至所述第三晶体管的漏极以及第五晶体管的栅极；所述第三镜像单元包括：镜像连接的第六晶体管和第七晶体管，所述第六晶体管和第七晶体管的源极连接至输入电压端，所述第六晶体管的漏极连接至栅极，且连接至所述第五晶体管的漏极和所述第七晶体管的栅极，所述第七晶体管的漏极连接至所述稳压节点。

2.根据权利要求1所述的电容倍增电路，其特征在于，所述第二晶体管和所述第一晶体管的尺寸比例为K:1。

3.根据权利要求2所述的电容倍增电路，其特征在于，所述第三晶体管与所述第一晶体管的尺寸比例为K:1；所述第二镜像单元、第三镜像单元内的镜像晶体管的电流镜像比例为1:1。

4.一种线性稳压器，其特征在于，包括：

如权利要求1至3中任一项所述的电容倍增电路；

线性稳压模块，所述线性稳压模块的输出端连接至所述稳压节点；所述线性稳压模块包括：误差放大单元、采样单元、调整晶体管；所述调整晶体管的源极和漏极串联于所述稳压节点与输入电压端之间，所述调整晶体管的漏极连接至所述稳压节点；所述采样单元连接至所述稳压节点，用于向所述误差放大单元输出所述稳压节点的采样电压；所述误差放大单元用于将所述采样电压与参考电压进行误差放大，并输出误差放大信号至所述调整晶体管的栅极；所述调整晶体管的栅极与源极之间连接有第一电容，所述稳压节点与所述采样单元的采样电压输出端之间连接有第二电容，所述稳压节点与所述误差放大单元之间连接有弥勒补偿单元；

内置稳压电容，连接于所述稳压节点与地端之间。