[发明专利]双频带混频器在审
申请号: | 202010627588.9 | 申请日: | 2020-07-01 |
公开(公告)号: | CN112702071A | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 艾瑞克·查夫拉尼 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H04B1/00 | 分类号: | H04B1/00;H04B1/04;H04B1/52 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张军;曾世骁 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双频 混频器 | ||
1.一种双频带混频器电路,包括:
混频器,被配置为接收输入信号和本机振荡器LO信号并且产生输出频率信号;以及
可切换电感电路,耦合到所述混频器的输出端,
其中,所述可切换电感电路包括:
变压器,包括初级电感器和次级电感器,所述初级电感器电耦合到所述混频器的所述输出端;
电容器,电耦合到所述次级电感器;以及
开关,电耦合到所述电容器和所述次级电感器。
2.根据权利要求1所述的双频带混频器电路,其中,所述电容器和所述开关分别与所述变压器的所述次级电感器并联电耦合。
3.根据权利要求1所述的双频带混频器电路,其中,所述混频器被配置为在第一频带或第二频带内产生所述输出频率信号,并且
其中,所述第一频带与所述第二频带不重叠。
4.根据权利要求1所述的双频混频器电路,其中,所述输入信号为中频信号并且所述输出频率信号为射频信号,或者,所述输入信号为射频信号并且所述输出频率信号为中频信号。
5.根据权利要求1所述的双频带混频器电路,其中,所述混频器被配置为在第一频带或第二频带内产生所述输出频率信号,
其中,所述开关被配置为基于控制信号来进行激活或去激活,并且
其中,所述混频器被配置为响应于所述开关被激活而在所述第二频带产生所述输出频率信号,并且响应于所述开关被去激活而在所述第一频带产生所述输出频率信号。
6.根据权利要求1所述的双频带混频器电路,其中,所述混频器被配置为在第一频带或第二频带内产生所述输出频率信号,
其中,所述初级电感器和所述次级电感器包括第一匝和第二匝,所述第一匝和所述第二匝相互同心,并且
其中,所述初级电感器和所述次级电感器平行堆叠在不同的物理层。
7.根据权利要求6所述的双频带混频器电路,其中,所述第一频带的中心基于所述第一匝中的相邻匝之间的第一距离、所述第二匝中的最内匝与所述第一匝中的最外匝之间的第二距离、所述第二匝中的相邻匝之间的第三距离以及所述电容器的电容值,
其中,所述第一频带与所述第二频带之间的频率间隔基于所述第二距离和所述第三距离。
8.根据权利要求3-7中的任意一项所述的双频带混频器电路,其中,所述第一频带和所述第二频带分别以28GHz和39GHz为中心。
9.根据权利要求1所述的双频混频器电路,其中,所述变压器为1:1变压器,
其中,所述电容器是金属氧化物金属MOM电容器,
其中,所述开关是金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET,并且
其中,所述混频器是吉尔伯特单元混频器。
10.一种收发器,包括:
频带选择器,被配置为产生控制信号;
混频器,被配置为接收输入信号和本机振荡器LO信号并且产生输出频率信号;以及
可切换电感电路,电耦合到所述混频器的输出端,
其中,所述可切换电感电路包括:
变压器,包括初级电感器和次级电感器,其中,所述初级电感器电耦合到所述混频器的所述输出端;
电容器,电耦合到所述次级电感器;以及
开关,电耦合到所述电容器和所述次级电感器并且被配置为基于所述控制信号来进行激活或去激活。
11.根据权利要求10所述的收发器,还包括:本机振荡器,被配置为以本机振荡器LO频率产生所述本机振荡器LO信号。
12.根据权利要求10所述的收发器,其中,所述混频器被配置为在第一频带或第二频带内产生所述输出频率信号,并且
其中,所述第一频带与所述第二频带不重叠。
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