[发明专利]一种材料发射率污染影响原位实时测试方法及装置在审

专利信息
申请号: 202010628081.5 申请日: 2020-07-02
公开(公告)号: CN111766240A 公开(公告)日: 2020-10-13
发明(设计)人: 牟永强;焦子龙;杨晓宁;刘宇明;姜海富;田东波 申请(专利权)人: 北京卫星环境工程研究所
主分类号: G01N21/84 分类号: G01N21/84;G01N5/00
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人: 成丹
地址: 100094 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 材料 发射 污染 影响 原位 实时 测试 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种材料发射率污染影响原位实时测试方法,其特征在于:有以下步骤:

使用激光器发出光束,分光后,一束经真空罐窗口进入真空罐内,真空罐内的扩散单元将污染物沉积在沉积片上形成薄膜;光束经过沉积片反射,在真空罐外接收反射光束后与分光的另一束光进行相位比较,得出沉积片薄膜厚度实时变化情况,该实时变化情况的结果与分体式石英晶体微量天平在沉积片相同位置获取的数据进行验证校准;同时激光光路也能用于对沉积片沉积的污染物薄膜进行光学特性测试,测试其发射率随污染物厚度的实时变化;所述真空罐工作在优于1x10-5Pa的环境中,测试沉积片的环境温度为深低温,模拟的是深低温高真空环境下的污染物沉积量与物理特性的实时原位测量。

2.如权利要求1所述的一种材料发射率污染影响原位实时测试方法,其特征在于:包括:能够使用激光器进行特定波长的污染物材料光学特性测试。

3.一种材料发射率污染影响原位实时测试装置,其特征在于:包括深低温平台、分体式石英晶体微量天平、污染物扩散单元、分子吸附器、沉积片、冷屏、发射率测量装置,分体式石英晶体微量天平、污染物扩散单元位于真空罐内,深低温平台为沉积片和分体式石英晶体微量天平提供深低温环境温度,沉积片与分体式石英晶体微量天平位于真空罐的同一位置,同样的环境温度下,确保沉积片与石英天平收集的污染物一致,分子吸附器位于真空罐外的密闭容器中,分子吸附器通过微导管引入真空室内的污染物扩散单元内,发射率测量装置位于真空罐外,冷屏为深低温平台的低温端头,提供冷背景。

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