[发明专利]一种大尺寸铁氧体基片及其抛光方法有效
| 申请号： | 202010630260.2 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN111702565B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 孔伟;任仕晶;鲜聪;廖杨;陈建杰;袁红兰;冯涛;王谦 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第九研究所 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B57/02;H01P11/00 |
| 代理公司： | 绵阳市博图知识产权代理事务所(普通合伙) 51235 | 代理人： | 黎仲 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 铁氧体 及其 抛光 方法 | ||
1.一种大尺寸铁氧体基片的抛光方法，其特征在于：包括以下步骤：
（A）配置直径为1μm～3μm的板状结晶氧化铝抛光液；
（B）将步骤（A）得到的氧化铝抛光液配合压缩纤维抛光垫对待抛光铁氧体基片进行第一轮抛光，得到半成品；
（C）配置球状结晶氧化铝抛光液；
（D）用步骤（C）得到的氧化铝抛光液配合阻尼布抛光垫对步骤（B）得到的半成品进行第二轮抛光，得到表面粗糙度为10nm～20nm的产品。
2.根据权利要求1所述的一种大尺寸铁氧体基片的抛光方法，其特征在于，步骤（B）中，所述压缩纤维抛光垫的肖氏硬度为57～75。
3.根据权利要求1所述的一种大尺寸铁氧体基片的抛光方法，其特征在于，步骤（B）中，所述半成品的厚度为0.3mm～4mm、平面度小于2μm、粗糙度为50nm～80nm。
4.根据权利要求1所述的一种大尺寸铁氧体基片的抛光方法，其特征在于，步骤（C）中球状结晶氧化铝的直径为0.5μm～1μm。
5.根据权利要求1所述的一种大尺寸铁氧体基片的抛光方法，其特征在于，步骤（D）中，所述阻尼布抛光垫的肖氏硬度为35～43。
6.权利要求1-5任意一项的方法所制得的大尺寸铁氧体基片，其特征在于：所述大尺寸铁氧体基片外形尺寸为：直径101.8mm～200mm的圆形或其他任意多边形，所述任意多边形的外接圆直径为101.8mm～200mm；厚度为0.3mm～4mm。
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