[发明专利]Nand Flash的数据纠错方法、装置、电子设备及存储介质在审

专利信息
申请号: 202010630517.4 申请日: 2020-07-03
公开(公告)号: CN111813591A 公开(公告)日: 2020-10-23
发明(设计)人: 朱晓锐;邓玉良;殷中云;唐越;陈佩纯;苏通 申请(专利权)人: 深圳市国微电子有限公司
主分类号: G06F11/07 分类号: G06F11/07;G06F11/10;G11C29/42
代理公司: 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 代理人: 王海滨
地址: 518057 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: nand flash 数据 纠错 方法 装置 电子设备 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种Nand Flash的数据纠错方法,其特征在于,所述方法包括:

当接收到编程指令时,将预设的数据保持时间及获取的Nand Flash冗余区的编辑次数输入预设的Nand Flash误码率模型,得到评估的误码率;

根据所述评估的误码率选取预设的纠错编码方案列表中的目标纠错编码方案;

利用所述目标纠错编码方案对待写入数据进行纠错编码,得到正确的编码数据;

将所述编码数据储存至Nand Flash数据区,及将所述目标纠错编码方案储存至所述Nand Flash冗余区。

2.根据权利要求1所述的Nand Flash的数据纠错方法,其特征在于,所述将预设的数据保持时间及获取的Nand Flash冗余区的编辑次数输入预设的Nand Flash误码率模型的步骤之前包括:

接收Nand Flash芯片的测试数据,所述测试数据包括:多个不同的映射指标及所述映射指标对应的所述误码率,所述映射指标包含所述编辑次数及所述数据保持时间;

分别利用所述映射指标及对应的所述误码率按照预设的多项式拟合规则进行建模,得到所述Nand Flash误码率模型。

3.根据权利要求1所述的Nand Flash的数据纠错方法,其特征在于,所述将预设的数据保持时间及获取的Nand Flash冗余区的编辑次数输入预设的Nand Flash误码率模型,得到评估的误码率的步骤包括:

访问Nand Flash芯片的所述Nand Flash冗余区;

提取所述Nand Flash冗余区中的所述编辑次数;

将预设的所述数据保持时间及所述编辑次数输入所述Nand Flash误码率模型,得到所述评估的误码率。

4.根据权利要求1所述的Nand Flash的数据纠错方法,其特征在于,所述根据所述评估的误码率选取预设的纠错编码方案列表中的目标纠错编码方案的步骤包括:

根据所述评估的误码率计算所述待写入数据中的错误比特数,所述误码率为所述错误比特数占所述待写入数据的比率;

根据所述错误比特数与预设的错误比特数阈值对比,并根据对比结果选取所述纠错编码方案列表中的所述目标纠错编码方案。

5.根据权利要求4所述的Nand Flash的数据纠错方法,其特征在于,所述目标纠错编码方案包括:单级纠错编码方案及级联纠错编码方案,则所述根据所述错误比特数与预设的错误比特数阈值对比,并根据对比结果选取所述纠错编码方案列表中的所述目标纠错编码方案的步骤包括:

将所述错误比特数与预设的错误比特数阈值对比;

若所述对比结果为所述错误比特数小于或等于所述错误比特数阈值,则选取所述纠错编码方案列表中的所述单级纠错编码方案作为所述目标纠错编码方案;

若所述对比结果为所述错误比特数大于所述错误比特数阈值,则选取所述纠错编码方案列表中的所述级联纠错编码方案作为所述目标纠错编码方案。

6.根据权利要求1所述的Nand Flash的数据纠错方法,其特征在于,所述将所述编码数据储存至Nand Flash数据区,及将所述目标纠错编码方案储存至所述Nand Flash冗余区的步骤之后包括:

当接收到读取指令时,获取所述Nand Flash冗余区中的目标纠错编码方案,及获取所述Nand Flash数据区中的待解码数据,所述待解码数据为所述编码数据;

根据所述目标纠错编码方案确定所述待解码数据的目标纠错解码方案;

根据所述目标纠错解码方案对所述待解码数据进行解码纠错,得到正确的解码数据。

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