[发明专利]铜铝互连结构的制作方法有效

专利信息
申请号: 202010630546.0 申请日: 2020-07-03
公开(公告)号: CN111725133B 公开(公告)日: 2022-08-16
发明(设计)人: 卢光远;陈瑜;陈华伦 申请(专利权)人: 华虹半导体(无锡)有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532;H01L23/544
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 罗雅文
地址: 214028 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 互连 结构 制作方法
【权利要求书】:

1.一种铜铝互连结构的制作方法,其特征在于,所述方法包括:

形成铜金属层连线;

在所述铜金属层连线的表面依次形成NDC和介质层;

在所述介质层表面形成氮化钛层;

在所述氮化钛层的上方形成通孔图案和深槽图案;

刻蚀所述通孔图案和所述深槽图案对应的衬底,形成通孔和深槽,所述通孔的底部连接所述铜金属层连线的表面,所述深槽的底部低于所述铜金属层连线的表面;

填充所述通孔;

去除所述衬底表面的填充材料和氮化钛层;

沉积形成铝金属层,所述铝金属层中对应深槽的位置形成有对位标记。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述介质层表面形成氮化钛层包括:

在所述介质层表面沉积所述氮化钛层;

在所述氮化钛层表面沉积氧化硅层。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述刻蚀所述通孔图案和所述深槽图案对应的衬底,包括:

依次刻蚀所述通孔图案和所述深槽图案对应的氮化钛层、介质层,直到露出NDC;

对所述通孔图案和所述深槽图案对应的NDC进行过刻蚀,形成所述通孔和所述深槽;

其中,所述通孔的底部连接所述铜金属层连线的表面,所述深槽的底部低于所述铜金属层连线的表面。

4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述氮化钛层的厚度为300A至1000A。

5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述氧化硅层的厚度为50A至100A。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述氮化钛层的上方形成通孔图案和深槽图案;

通过光刻工艺在所述氮化钛层的上方形成通孔图案和深槽图案。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述形成铜金属层连线,包括:

采用大马士革工艺制作所述铜金属层连线。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述填充所述通孔,包括:

依次沉积黏附层、扩散阻挡层;

沉积钨,直到所述通孔被完全填充。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述去除所述衬底表面的填充材料和氮化钛层,包括:

对衬底进行CMP处理,依次去除所述衬底表面沉积的钨、扩散阻挡层和黏附层材料以及氮化钛层。

10.根据权利要求8或9所述的方法,其特征在于,所述黏附层的材料为钛,所述扩散阻挡层的材料为氮化钛。

11.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述对所述通孔图案和所述深槽图案对应的NDC进行过刻蚀,形成所述通孔和所述深槽,包括:

去除光刻胶;

以所述氮化钛层为硬掩膜,对所述通孔图案和所述深槽图案对应的NDC进行过刻蚀,形成所述通孔和所述深槽。

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