[发明专利]铜铝互连结构的制作方法有效
申请号: | 202010630546.0 | 申请日: | 2020-07-03 |
公开(公告)号: | CN111725133B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 卢光远;陈瑜;陈华伦 | 申请(专利权)人: | 华虹半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532;H01L23/544 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 罗雅文 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 互连 结构 制作方法 | ||
1.一种铜铝互连结构的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
形成铜金属层连线;
在所述铜金属层连线的表面依次形成NDC和介质层;
在所述介质层表面形成氮化钛层;
在所述氮化钛层的上方形成通孔图案和深槽图案;
刻蚀所述通孔图案和所述深槽图案对应的衬底,形成通孔和深槽,所述通孔的底部连接所述铜金属层连线的表面,所述深槽的底部低于所述铜金属层连线的表面;
填充所述通孔;
去除所述衬底表面的填充材料和氮化钛层;
沉积形成铝金属层,所述铝金属层中对应深槽的位置形成有对位标记。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述介质层表面形成氮化钛层包括:
在所述介质层表面沉积所述氮化钛层;
在所述氮化钛层表面沉积氧化硅层。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述刻蚀所述通孔图案和所述深槽图案对应的衬底,包括:
依次刻蚀所述通孔图案和所述深槽图案对应的氮化钛层、介质层,直到露出NDC;
对所述通孔图案和所述深槽图案对应的NDC进行过刻蚀,形成所述通孔和所述深槽;
其中,所述通孔的底部连接所述铜金属层连线的表面,所述深槽的底部低于所述铜金属层连线的表面。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述氮化钛层的厚度为300A至1000A。
5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述氧化硅层的厚度为50A至100A。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述氮化钛层的上方形成通孔图案和深槽图案;
通过光刻工艺在所述氮化钛层的上方形成通孔图案和深槽图案。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述形成铜金属层连线,包括:
采用大马士革工艺制作所述铜金属层连线。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述填充所述通孔,包括:
依次沉积黏附层、扩散阻挡层;
沉积钨,直到所述通孔被完全填充。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述去除所述衬底表面的填充材料和氮化钛层,包括:
对衬底进行CMP处理,依次去除所述衬底表面沉积的钨、扩散阻挡层和黏附层材料以及氮化钛层。
10.根据权利要求8或9所述的方法,其特征在于,所述黏附层的材料为钛,所述扩散阻挡层的材料为氮化钛。
11.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述对所述通孔图案和所述深槽图案对应的NDC进行过刻蚀,形成所述通孔和所述深槽,包括:
去除光刻胶;
以所述氮化钛层为硬掩膜,对所述通孔图案和所述深槽图案对应的NDC进行过刻蚀,形成所述通孔和所述深槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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