[发明专利]晶圆的位置检测方法、装置、设备、系统和存储介质有效
申请号: | 202010630551.1 | 申请日: | 2020-07-03 |
公开(公告)号: | CN111916365B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 黄发彬;吴长明;姚振海;金乐群;李玉华;朱至渊 | 申请(专利权)人: | 华虹半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67;H01L21/68 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 黎伟 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 位置 检测 方法 装置 设备 系统 存储 介质 | ||
1.一种晶圆的位置检测方法,其特征在于,所述方法应用于对目标晶圆进行光刻的过程中,包括:
获取位置信号,所述位置信号是PSD传感器组件测量所述目标晶圆在载片台上的位置得到的信号,所述载片台的第一边所在的方向为X轴,所述载片台的第二边所在的方向为Y轴,所述第一边与所述第二边垂直,所述目标晶圆包含缺口,所述缺口具有缺口高度,所述缺口高度是所述缺口的顶端和所述缺口的底边之间的垂直距离;
根据所述位置信号和所述缺口高度计算所述目标晶圆在X轴方向上的第一偏移距离,所述位置信号包括所述PSD传感器的四象限光敏面上每一个象限的信号;
根据所述位置信号、所述缺口高度、缺口宽度和边长计算所述目标晶圆在Y轴方向上的第二偏移距离,所述缺口宽度是所述底边的宽度,所述边长是所述四象限光敏面的边长;
当所述第一偏移距离和/或所述第二偏移距离超过距离阈值时,根据所述第一偏移距离和所述第二偏移距离对所述目标晶圆的初始位置进行补偿,所述初始位置是所述目标晶圆在所述光刻的粗对位过程中的起始位置。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述位置信号和所述缺口高度计算所述第一偏移距离,包括:
根据所述位置信号和所述缺口高度,通过以下公式计算所述第一偏移距离:
其中,△X为所述第一偏移距离,a为所述缺口高度,S1为所述四象限光敏面中第一象限的信号,S2为所述四象限光敏面中第二象限的信号,S3为所述四象限光敏面中第三象限的信号,S4为所述四象限光敏面中第四象限的信号,C为常数。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述根据所述位置信号、所述缺口高度、缺口宽度和边长计算所述第二偏移距离,包括:
根据所述位置信号、所述缺口高度、所述缺口宽度和所述边长,通过以下公式计算所述第二偏移距离:
其中,△Y为所述第一偏移距离,a为所述缺口高度,b1为所述缺口宽度,b2为所述边长,S1为所述四象限光敏面中第一象限的信号,S2为所述四象限光敏面中第二象限的信号,S3为所述四象限光敏面中第三象限的信号,S4为所述四象限光敏面中第四象限的信号。
4.一种位置检测装置,其特征在于,所述装置用于在对目标晶圆进行光刻的过程中对所述目标晶圆的位置进行检测,所述装置包括获取模块和处理模块;
所述获取模块,用于获取位置信号,所述位置信号是PSD传感器组件测量所述目标晶圆在载片台上的位置得到的信号;
所述处理模块,用于根据所述位置信号和缺口高度计算所述目标晶圆在X轴方向上的第一偏移距离,所述位置信号包括所述PSD传感器的四象限光敏面上每一个象限的信号;根据所述位置信号、所述缺口高度、缺口宽度和边长计算所述目标晶圆在Y轴方向上的第二偏移距离,所述缺口宽度是底边的宽度,所述边长是所述四象限光敏面的边长;当所述第一偏移距离和/或所述第二偏移距离超过距离阈值时,根据所述第一偏移距离和所述第二偏移距离对所述目标晶圆的初始位置进行补偿,所述初始位置是所述目标晶圆在所述光刻的粗对位过程中的起始位置。
5.一种位置检测设备,其特征在于,所述设备包括处理器和存储器,所述存储器中存储有至少一条指令或者程序,所述指令或者程序由所述处理器加载并执行以实现如权利要求1至3任一所述的晶圆的位置检测方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造