[发明专利]一种耐热低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种耐热低介电常数聚酰亚胺薄膜，其特征在于，其原料包括：二胺单体、二酐单体、2,4,6-三氨基嘧啶、八(氨基苯基三氧硅烷)和改性纳米空心二氧化硅，其中，改性二氧化硅的含量为3.5-4.5wt％。

2.根据权利要求1所述耐热低介电常数聚酰亚胺薄膜，其特征在于，二胺单体为4,4’-二氨基二苯醚。

3.根据权利要求1或2所述耐热低介电常数聚酰亚胺薄膜，其特征在于，二酐单体为4,4'-联苯醚二酐、4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐。

4.根据权利要求1-3任一项所述耐热低介电常数聚酰亚胺薄膜，其特征在于，改性纳米空心二氧化硅为3-氨基丙基三乙氧基硅烷改性纳米空心二氧化硅。

5.根据权利要求1-4任一项所述耐热低介电常数聚酰亚胺薄膜，其特征在于，八(氨基苯基三氧硅烷)的含量为3-5wt％。

6.根据权利要求1-5任一项所述耐热低介电常数聚酰亚胺薄膜，其特征在于，二胺单体和2,4,6-三氨基嘧啶的摩尔比为8-9:1。

7.根据权利要求1-6任一项所述耐热低介电常数聚酰亚胺薄膜，其特征在于，二酐单体和二胺单体的摩尔比为2.4-2.5:1。

8.根据权利要求3所述耐热低介电常数聚酰亚胺薄膜，其特征在于，4,4'-联苯醚二酐、4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐的摩尔比为7-8:2-3。

9.一种如权利要求1-8任一项所述耐热低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在惰性气体氛围中，将二胺单体、2,4,6-三氨基嘧啶、改性纳米空心二氧化硅和N,N-二甲基乙酰胺超声混匀，然后加入二酐单体于室温反应3-5h，再加入八(氨基苯基三氧硅烷)继续反应1-2h得到胶液；将胶液脱泡后涂覆于基板表面，亚胺化，自然冷却至室温，脱膜得到耐热低介电常数聚酰亚胺薄膜。

10.根据权利要求9所述耐热低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，亚胺化的程序为：于100-120℃，保温1.5h，然后升温至230-250℃，保温1h，再升温至300-320℃，保温0.5min，再升温至360-380℃，保温10min。