[发明专利]一种低介电常数疏水聚酰亚胺薄膜及其制备方法

说明书

本发明公开了一种低介电常数疏水聚酰亚胺薄膜，其原料包括：二胺单体、二酐单体、八(氨基苯基三氧硅烷)和改性TS‑1分子筛；其中，改性TS‑1分子筛的添加量为各原料总重的1‑2wt％。本发明还公开了上述低介电常数疏水聚酰亚胺薄膜的制备方法。本发明具有较低的介电常数，且具有疏水性能。

技术领域

本发明涉及聚酰亚胺薄膜技术领域，尤其涉及一种低介电常数疏水聚酰亚胺薄膜及其制备方法。

背景技术

聚酰亚胺具有良好的耐高温性、机械性能等特点，是重要的特种高分子材料，被广泛应用于微电子和光电行业。由于目前微电子产业中高集成度的发展需求，需要聚酰亚胺具有更低的介电常数，而聚酰亚胺的介电常数约为3.0-4.0，需要提高其介电性能。

发明内容

基于背景技术存在的技术问题，本发明提出了一种低介电常数疏水聚酰亚胺薄膜及其制备方法，本发明具有较低的介电常数，且具有疏水性能。

本发明提出的一种低介电常数疏水聚酰亚胺薄膜，其原料包括：二胺单体、二酐单体、八(氨基苯基三氧硅烷)和改性TS-1分子筛；其中，改性TS-1分子筛的添加量为各原料总重的1-2wt％。

优选地，二胺单体为2,2’-双(三氟甲基)-4,4’-二氨基联苯和氨丙基封端聚二甲基硅氧烷。

优选地，2,2’-双(三氟甲基)-4,4’-二氨基联苯和氨丙基封端聚二甲基硅氧烷的摩尔比为7-8:1。

优选地，二酐单体为4,4’-联苯醚二酐和4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐。

优选地，4,4’-联苯醚二酐和4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐的摩尔比为1:1-1.5。

优选地，改性TS-1分子筛为硅烷偶联剂改性TS-1分子筛。

优选地，硅烷偶联剂为3-氨基丙基三乙氧基硅烷。

优选地，八(氨基苯基三氧硅烷)的添加量为各原料总重的2.5-3.5wt％。

优选地，二胺单体、二酐单体的摩尔比为0.99-1:1。

上述TS-1分子筛可以从市场购得。

本发明还提出了上述低介电常数疏水聚酰亚胺薄膜的制备方法，包括如下步骤：在惰性气体氛围中，向二胺单体溶液中加入二酐单体进行反应得到共聚物溶液；然后向共聚物溶液中加入改性TS-1分子筛分散液进行反应得到胶液；将胶液脱泡后涂覆于基板表面，亚胺化，自然冷却至室温，剥离得到低介电常数疏水聚酰亚胺薄膜。

优选地，亚胺化的程序为：于150-160℃，保温30-50min，然后升温至380℃，保温10-15min。

优选地，于室温反应13-14h得到共聚物溶液。

优选地，于室温反应3-4h得到胶液。

优选地，胶液的固含量为10-15％。

优选地，二胺单体溶液和改性TS-1分子筛分散液的溶剂均为N,N-二甲基乙酰胺。

有益效果：