[发明专利]气相沉积腔室

权利要求书

1.一种气相沉积腔室，其特征在于，包括上外壁、反应基座、支撑环、下外壁、第一导流环，其中：

所述支撑环设置在所述上外壁和下外壁之间且与所述上外壁和下外壁连接，所述第一导流环和所述反应基座依次设置在所述支撑环的内侧，且所述第一导流环承载在所述下外壁上，所述下外壁、所述第一导流环和所述反应基座形成第一子腔，在所述上外壁和所述反应基座之间形成第二子腔；

所述第一导流环上构造有径向贯穿的进气通孔和偏离所述进气通孔的径向非贯穿的进气切槽，所述进气通孔与所述第一子腔连通以向所述第一子腔的内部引入清洗气体，以蚀刻所述第一子腔内的污染物，所述进气切槽与所述第二子腔连通以向所述第二子腔的内部引入工艺气体；

在所述第二子腔内设置有第二导流环，所述第二导流环的径向尺寸大于或等于所述第一导流环的径向尺寸并且间隔地设置在所述第一导流环的上方，在所述进气切槽和第二导流环之间的间隙形成所述第二子腔的进气通道。

2.根据权利要求1所述的气相沉积腔室，其特征在于，所述第一导流环构造有进气区，所述进气通孔和进气切槽构造在所述进气区中，所述进气切槽和所述进气通孔的数量均为多个，并且相间分布。

3.根据权利要求2所述的气相沉积腔室，其特征在于，所述进气区包括分开的第一进气区和第二进气区，所述第一进气区与第二进气区处于所述第一导流环的直径的同侧，

所述进气切槽构造在所述第一进气区中，所述进气通孔构造在所述第二进气区中。

4.根据权利要求2或3所述的气相沉积腔室，其特征在于，所述第一导流环构造有排气区，所述排气区与所述进气区处于所述第一导流环的直径的异侧，

所述第一导流环在所述排气区内构造有排气切槽，在所述排气切槽和第二导流环之间的间隙形成所述第二子腔的排气通道。

5.根据权利要求4所述的气相沉积腔室，其特征在于，所述反应基座与所述第一导流环之间的间隙形成所述第一子腔的排气通道，所述第一子腔的排气通道与所述第二子腔的排气通道连通。

6.根据权利要求5所述的气相沉积腔室，其特征在于，在所述第一导流环在所述排气区内偏离所述排气切槽构造有与所述第一子腔连通的排气口，所述排气口与所述第二子腔的排气通道连通。

7.根据权利要求1所述的气相沉积腔室，其特征在于，所述支撑环上设置有进气插件，所述进气插件构造有与所述进气通孔连通的第一贯穿孔，和与所述进气切槽连通的第二贯穿孔，所述第一贯穿孔与所述第二贯穿孔彼此独立。

8.根据权利要求7所述的气相沉积腔室，其特征在于，所述进气插件包括至少两个子部件，至少两个所述子部件沿所述支撑环在周向上拼接在一起，

在每个所述子部件上均构造有所述第一贯穿孔和所述第二贯穿孔。

9.根据权利要求8所述的气相沉积腔室，其特征在于，在周向上，第二贯穿孔处于每个所述子部件的两侧，所述第一贯穿孔处于所述子部件的中部，在周向上，拼接在一起的两个所述子部件的相邻的第二贯穿孔与同一个进气切槽连通。