[发明专利]电子设备及其制造方法

权利要求书

1.一种电子设备，其包括半导体存储器，所述半导体存储器包括：

衬底，其包括其中布置有多个可变电阻元件的第一区域、在第一方向上设置在所述第一区域的一侧上的第二区域、以及在与第一方向交叉的第二方向上设置在所述第一区域的另一侧上的第三区域；

多条第一线，其设置在所述衬底上方并在第一方向上跨过所述第一区域和所述第二区域延伸；

多条第二线，其设置在所述第一线上方并且在第二方向上跨过所述第一区域和所述第三区域延伸；

可变电阻元件，位于所述第一线和所述第二线的交点处且在所述第一线和所述第二线之间；

接触插塞，其设置在所述第三区域中，并且其上端耦接至所述第二线；以及

材料层，其在所述第一区域中插设于所述第二线与所述可变电阻元件之间、而在所述第三区域中在所述第二线与所述接触插塞之间的部位不存在，该材料层增加所述可变电阻元件的电阻。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述材料层的电阻大于所述第一线或所述第二线的电阻。

3.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述材料层包括绝缘材料，以及

随着所施加电压的增加，穿过所述材料层的电流流量增加。

4.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述材料层的厚度为几埃至几十埃。

5.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述材料层的一部分覆盖所述第一区域，并且所述材料层的覆盖所述第一区域的一部分具有实质上均匀的厚度。

6.根据权利要求5所述的电子设备，其中，所述材料层还覆盖与所述第一区域相邻的所述第三区域的边缘部分，并且所述第三区域的中间部分未被所述材料层覆盖。

7.根据权利要求1所述的电子设备，其中，在所述第一区域中，所述材料层具有与所述第二线重叠的线形。

8.根据权利要求7所述的电子设备，其中，所述材料层还延伸至与所述第一区域相邻的所述第三区域的边缘部分，并且所述材料层不存在于所述第三区域的中间部分。

9.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述半导体存储器还包括：

层间绝缘层，所述接触插塞穿过所述层间绝缘层，以及

其中，所述第三区域中的所述层间绝缘层的上表面随着其远离所述第一区域而高度降低。

10.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第二线和所述接触插塞彼此直接接触。

11.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一区域中的所述材料层的厚度是恒定的，并且

所述第三区域中的所述材料层的厚度可变。

12.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第三区域中的所述第二线的至少一部分的厚度大于所述第一区域中的所述第二线的厚度。

13.一种电子设备，其包括半导体存储器，所述半导体存储器包括：

衬底，其包括其中布置有多个可变电阻元件的第一区域、在第一方向上设置在所述第一区域的一侧上的第二区域、以及在与所述第一方向交叉的第二方向上设置在所述第一区域的另一侧上的第三区域；

多条第一线，设置在所述衬底上方并在第一方向上跨过所述第一区域和所述第二区域延伸；

多条第二线，设置在所述第一线上方并且在第二方向上跨过所述第一区域和所述第三区域延伸；

可变电阻元件，位于所述第一线和所述第二线的交点处且在第一线和第二线之间；

接触插塞，其设置在所述第三区域中，并且其上端耦接至所述第二线；以及

材料层，其在所述第一区域中插设于所述第二线与可变电阻元件之间、并延伸到所述第三区域，所述材料层增加所述可变电阻元件的电阻，

其中，所述第一区域中的材料层的厚度是恒定的，且所述第三区域中的材料层的厚度可变。