[发明专利]一种中温烧结的高介低损耗负温度补偿型瓷料及其制备方法有效
申请号: | 202010631800.9 | 申请日: | 2020-07-03 |
公开(公告)号: | CN111943668B | 公开(公告)日: | 2022-09-13 |
发明(设计)人: | 刘杨琼;李红卫;黄振娟;汪小玲;赵杨军 | 申请(专利权)人: | 成都宏科电子科技有限公司 |
主分类号: | C04B35/475 | 分类号: | C04B35/475;C04B35/622;C04B35/63 |
代理公司: | 成都睿道专利代理事务所(普通合伙) 51217 | 代理人: | 陶红 |
地址: | 610100 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 烧结 高介低 损耗 温度 补偿 料及 制备 方法 | ||
1.一种中温烧结的高介低损耗负温度补偿型瓷料,其特征在于:其原料包括基料、改性剂和烧结助剂;所述基料的化学式为Sr1-xBixTiO3,其中,0.14≤x≤0.18;所述改性剂包括CaCO3和Re2O3,所述烧结助剂包括ZnO和ZnO-B2O3玻璃;
所述CaCO3占所述Sr1-xBixTiO3的摩尔百分比为5-8mol%,所述Re2O3占所述Sr1-xBixTiO3的质量百分比为0.21-0.61wt%,所述ZnO占所述Sr1-xBixTiO3的摩尔百分比为1.5-3mol%,所述ZnO-B2O3玻璃占所述Sr1-xBixTiO3的质量百分比为0.2-0.75wt%。
2.根据权利要求1所述的中温烧结的高介低损耗负温度补偿型瓷料,其特征在于:所述改性剂还包括BaCO3;所述BaCO3占所述Sr1-xBixTiO3的摩尔百分比小于或等于4mol%。
3.根据权利要求1或2所述的中温烧结的高介低损耗负温度补偿型瓷料,其特征在于:所述改性剂还包括MnCO3;所述MnCO3占所述Sr1-xBixTiO3的质量百分比小于或等于0.03wt%。
4.根据权利要求1所述的中温烧结的高介低损耗负温度补偿型瓷料,其特征在于:所述ZnO-B2O3玻璃包括:质量百分比为75-85 wt%的ZnO和质量百分比为15-25 wt%的 B2O3。
5.根据权利要求4所述的中温烧结的高介低损耗负温度补偿型瓷料,其特征在于:所述ZnO-B2O3玻璃由ZnO和B2O3球磨混合后于800-870℃下烧结而成。
6.一种如权利要求1所述的中温烧结的高介低损耗负温度补偿型瓷料的制备方法,其特征在于:包括:
(1)将所述Sr1-xBixTiO3、所述CaCO3、所述ZnO和所述ZnO-B2O3玻璃按配比混合、球磨、烘干、过筛后在(1060±20)℃下煅烧得到所需烧块;
(2)向煅烧后的烧块中按配比加入Re2O3,球磨、烘干后过筛得到瓷料;
(3)将所述瓷料压制成圆片,排胶后升温至1120-1160℃,烧结3-4h后随炉冷却,制得陶瓷圆片,将圆片表面涂覆并烧制电极,用于圆片性能的测试。
7.根据权利要求6所述的中温烧结的高介低损耗负温度补偿型瓷料的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,还包括向料斗中装入占所述Sr1-xBixTiO3的摩尔百分比小于或等于4mol%的BaCO3。
8.根据权利要求6所述的中温烧结的高介低损耗负温度补偿型瓷料的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,还包括向所述烧块中装入所述MnCO3。
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