[发明专利]NVM芯片读数据错误快速处理方法及其控制器

权利要求书

1.一种访问NVM芯片的方法，包括如下步骤：

响应于处理IO读命令，根据要读取的NVM芯片的地址访问读阈值表，以获得读阈值；

生成使用所获得的读阈值对应的读阈值电压的读重做命令，以预设时间间隔向入港队列添加一个或少数指示所述读重做命令的介质接口命令，根据指示所述读重做命令的介质接口命令来访问NVM芯片；以及

在处理IO命令的间隙更新所述读阈值表。

2.根据权利要求1所述的方法，其中

生成第一额外的多个读重做命令访问NVM芯片，所述第一额外的多个读重做命令指示对NVM芯片可用的多种读阈值；

根据所述第一额外的多个读重做命令从NVM芯片读出数据的正确程度，用得到了正确程度最好的读出数据的所述第一额外的多个读重做命令之一对应的读阈值更新读阈值表。

3.根据权利要求2所述的方法，其中

所述第一额外的多个读重做命令被间隔地发送给NVM芯片，使得处理所述第一额外的多个读重做命令不影响处理IO命令的性能。

4.根据权利要求2或3所述的方法，还包括：

生成第二额外的多个读重做命令访问NVM芯片，所述第二额外的多个读重做命令指示对NVM芯片可用的多种读阈值，所述第二额外的多个读重做命令访问的物理块同所述第一额外的多个读重做命令访问的物理块不同；

根据所述第二额外的多个读重做命令从NVM芯片读出数据的正确程度，用得到了正确程度最好的读出数据的所述第二额外的多个读重做命令之一对应的读阈值更新读阈值表。

5.根据权利要求2或3所述的方法，其中

所述第一额外的多个读重做命令，包括访问第一类型物理页的读重做命令与访问第二类型物理页的读重做命令；

所述根据所述第一额外的多个读重做命令从NVM芯片读出数据的正确程度，用得到了正确程度最好的读出数据的所述第一额外的多个读重做命令之一对应的读阈值更新读阈值表，包括：用访问第一类型物理页的读重做命令中得到了正确程度最好的读出数据的访问第一类型物理页的读重做命对应的读阈值更新读阈值表，以及用访问第二类型物理页的读重做命令中得到了正确程度最好的读出数据的访问第二类型物理页的读重做命对应的读阈值更新读阈值表。

6.根据权利要求1-3之一所述的方法，其中

响应于处理IO读命令，若要访问的NVM芯片处于生命周期的后期，则根据要读取的NVM芯片的地址访问读阈值表，以获得读阈值；

若要访问的NVM芯片非处于生命周期的后期，则生成通常的存储介质访问读命令提供给NVM芯片。

7.根据权利要求1-3之一所述的方法，其中

所述响应于处理IO读命令，根据要读取的NVM芯片的地址访问读阈值表，包括：

根据所述IO读命令，生成通常的存储介质访问读命令提供给NVM芯片，响应于NVM芯片响应所述通常的存储介质访问读命令而输出的数据存在不可纠正错误，才根据要读取的NVM芯片的地址访问读阈值表。

8.一种存储设备的控制部件，包括：

存储命令处理单元、介质接口控制器与处理器；

存储命令处理单元与介质接口控制器通过入港队列与出港队列耦合；

存储命令处理单元将对应于IO命令的要提供给介质接口控制器的介质接口命令添加到入港队列；

处理器生成指示额外的读重做命令的介质接口命令添加到入港队列，并在处理IO

命令的间隙根据额外的读重做命令的处理结果更新读阈值表，其中，以预设时间间隔向入港队列添加一个或少数指示所述读重做命令的介质接口命令。

9.根据权利要求8所述的控制部件，其中

所述处理器向入港队列添加指示第一额外的多个读重做命令的介质接口命令；所述第一额外的多个读重做命令指示对NVM芯片可用的多种读阈值；

根据所述第一额外的多个读重做命令从NVM芯片读出数据的正确程度，所述处理器用得到了正确程度最好的读出数据的所述第一额外的多个读重做命令之一对应的读阈值更新读阈值表。

10.根据权利要求8或9所述的控制部件，其中

所述存储命令处理单元根据IO读命令，生成所述指示通常的存储介质访问读命令的介质接口命令；

所述介质接口控制器，响应于NVM芯片响应所述通常的存储介质访问读命令而输出的数据存在不可纠正错误，向所述存储命令处理单元指示所述不可纠正错误的出现；

所述存储命令处理单元，响应于所述不可纠正错误的出现，访问读阈值表，以及生成指示第一读重做命令的介质接口命令提供给入港队列，其中所述第一读重做命令指示访问读阈值表所获得的读阈值。