[发明专利]用于检查和制造光罩的方法以及制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于检查光罩的方法，所述方法包括：

将所述光罩装载于平台上，所述光罩包括光罩基板和在所述光罩基板上的反射层；

将所述光罩基板冷却至低于室温的温度；

将激光束照射到在所述光罩基板上的所述反射层；

使用光电检测器接收从所述反射层反射的所述激光束以获得所述反射层的图像；以及

基于所述反射层的所述图像，检测在所述反射层上是否存在颗粒缺陷和/或在所述反射层中是否存在空隙缺陷。

2.根据权利要求1所述的方法，其中冷却所述光罩基板将所述光罩基板冷却至低于所述室温的145开尔文。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述激光束具有0.87W/cm²的功率密度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述激光束包括ArF紫外光。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述激光束以12.3mm/s的速度扫描。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述光罩包括极紫外光罩。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述极紫外光罩的所述反射层包括硅层和在所述硅层上的钼层。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述极紫外光罩还包括在所述反射层上的吸收图案。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述平台包括用于冷却所述光罩基板的冷却器。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述冷却器包括珀耳帖器件或鼓风器件。

11.一种用于制造光罩的方法，所述方法包括：

在光罩基板上形成反射层；以及

检查所述反射层，其中检查所述反射层包括：

将所述光罩基板冷却至低于室温的温度，

将激光束照射到所述反射层，

使用光电检测器接收从所述反射层反射的所述激光束以获得所述反射层的图像，以及

基于所述反射层的所述图像，检测在所述反射层中是否存在缺陷。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

响应于在所述反射层中存在所述缺陷，蚀刻所述反射层。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括：

在所述反射层上形成吸收层；

在所述吸收层上形成光致抗蚀剂；

检查所述光致抗蚀剂；

图案化所述光致抗蚀剂；以及

使用图案化的光致抗蚀剂作为蚀刻掩模来蚀刻所述吸收层以形成吸收图案。

14.根据权利要求13所述的方法，其中检查所述光致抗蚀剂包括：

将所述光罩基板冷却至低于所述室温的温度；

将另一激光束照射到所述光致抗蚀剂；

使用所述光电检测器接收从所述光致抗蚀剂反射的所述另一激光束以获得所述光致抗蚀剂的图像；以及

基于所述光致抗蚀剂的所述图像，检测所述光致抗蚀剂中的缺陷。

15.根据权利要求14所述的方法，还包括：

响应于在所述光致抗蚀剂中存在所述缺陷，去除所述光致抗蚀剂。