[发明专利]一种湿度传感器制备方法

权利要求书

1.一种湿度传感器制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S01：提供已形成电极的电容结构芯片和氧化石墨烯分散液；

S02：将所述氧化石墨烯分散液沉积到所述电容结构上；

S03：速冻，使所述氧化石墨烯分散液凝固成为固体；

S04：减压，使所述氧化石墨烯分散液固体中的溶剂升华，在所述电极之间形成三维海绵状的氧化石墨烯介质薄膜。

2.根据权利要求1所述的湿度传感器制备方法，其特征在于，还包括步骤S05：在所述电极之间的所述氧化石墨烯介质薄膜表面上形成向下的沟槽。

3.根据权利要求2所述的湿度传感器制备方法，其特征在于，采用激光刻蚀、离子束刻蚀或者电子束刻蚀形成所述沟槽。

4.根据权利要求1所述的湿度传感器制备方法，其特征在于，步骤S01中，所述氧化石墨烯分散液中氧化石墨烯的质量分数为0.1％～10％。

5.根据权利要求1所述的湿度传感器制备方法，其特征在于，所述溶剂为水和有机溶剂的混合物，其中水的体积分数为50％～80％。

6.根据权利要求5所述的湿度传感器制备方法，其特征在于，所述有机溶剂包括乙醇、丙醇和异丙醇中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的湿度传感器制备方法，其特征在于，步骤S02中，采用旋涂或滴涂方式，沉积所述氧化石墨烯分散液。

8.根据权利要求1所述的湿度传感器制备方法，其特征在于，步骤S02中，沉积的所述氧化石墨烯分散液高度为1～500μm。

9.根据权利要求1所述的湿度传感器制备方法，其特征在于，步骤S03中，速冻时的冷冻温度为-20～-80℃；步骤S04中，减压时，使压强降至500Pa以下。

10.根据权利要求2所述的湿度传感器制备方法，其特征在于，步骤S05中，所述沟槽在所述氧化石墨烯介质薄膜上的占据密度为20％～80％。