[发明专利]一种晶圆级芯片封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种晶圆级芯片封装结构，其特征在于，包含：

一基板；

一芯片；

所述芯片倒置贴装于所述基板表面，所述芯片的功能面与所述基板之间有一封闭的空腔。

2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，还包含多个隔离柱，所述隔离柱连接所述基板和所述芯片的功能面，封闭所述基板和所述芯片的功能面之间的空隙，形成所述空腔。

3.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，还包含：

一承载板，所述承载板的一面形成有隔离层；形成有隔离层的所述承载板构成所述基板；

第一金属柱，设置于所述基板表面靠近所述基板中心的位置，电性连接所述基板；

一第一导电层，形成于所述隔离层的表面，电性连接所述第一金属柱；

所述承载板和所述第一导电层构成所述基板；所述第一金属柱电性连接所述第一导电层；

第二金属柱，设置于所述第一导电层表面靠近所述承载板边缘的位置，电性连接所述第一导电层；

一第一绝缘层，所述第一绝缘层包覆所述芯片的外侧、所述第二金属柱和所述隔离柱的外侧，且所述芯片的背面和所述第二金属柱的顶面露出所述第一绝缘层；

一第二绝缘层，形成于所述第一绝缘层表面，所述第二绝缘层在所述第二金属柱的顶面位置和所述芯片的背面的局部位置形成有开口；

一第二导电层，形成于所述第二绝缘层表面，所述第二导电层在所述第二绝缘层表面的开口处与所述芯片的背面、所述第二金属柱的顶面电性接触；

一第三绝缘层，所述第三绝缘层形成于所述第二绝缘层表面，包覆所述第二导电层，并令所述第二导电层局部露出所述第三绝缘层表面；

焊球下金属层，形成于露出所述第三绝缘层表面的第二导电层层上；

焊球，形成于所述焊球下金属层表面。

4.根据权利要求3所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述承载板对应所述芯片的正面的位置形成开口。

5.根据权利要求4所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述隔离层在所述承载板开口位置处形成有开口或图形或孔洞，使所述芯片的局部向外暴露。

6.一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板上倒置贴装一芯片，所述芯片的功能面与所述基板之间形成一封闭的空腔。

7.根据权利要求6所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于，包括以下步骤：在所述基板上形成多个隔离柱，所述多个隔离柱用于连接所述基板和所述芯片的功能面，并封闭所述基板和所述芯片的功能面之间的空隙形成所述空腔。