[发明专利]光栅深刻蚀的方法在审
| 申请号： | 202010634034.1 | 申请日： | 2020-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN111916330A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 王勇禄;晋云霞;曹红超;孔钒宇;张益彬;邵建达 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;G02B27/44 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光栅 深刻 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光栅深刻蚀的方法，该方法包括下列步骤：
1)光栅金属掩膜结构制备：首先在基板表面磁控溅射镀制铬膜，该膜层厚度为100nm-150nm；
2)在所述的金属铬膜的表面甩胶，接着用双光束紫外光干涉曝光、显影，得到金属-光刻胶复合光栅掩膜；
3)反应离子束刻蚀与清洗：所述的反应离子束刻蚀时，离子能量500eV，离子束流200mA，加速电压300V；调节刻蚀气体(氩气、三氟甲烷、氧气)配比得到最优刻蚀参数(Ar：5-10sccm，CHF3：40-70sccm，O2：5-15sccm)，利用反应离子束刻蚀机，对所述的复合光栅掩膜进行反应离子束刻蚀，对刻蚀后的复合光栅掩膜使用去铬液去除残留；
4)对刻蚀后的复合光栅的刻蚀深度进行测量，当刻蚀深度未达到设计值时，在光栅脊的两侧倾斜镀制金属膜，两次镀制，单次镀制厚度80nm～120nm，倾斜角度45°～60°；并返回步骤3)；当刻蚀深度达到设计值时，进入下一步；
5)完成光栅深刻蚀。
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