[发明专利]晶圆弯曲度测量方法、装置及存储介质

权利要求书

1.一种晶圆弯曲度测量方法，其特征在于，包括：

利用应变测试装置，测量晶圆背面的应力；所述应变测试装置设置在所述晶圆背面，所述应变测试装置跟随所述晶圆进行半导体加工工艺；

利用测量的应力，结合应力与晶圆弯曲度的对应关系，得到所述晶圆的弯曲度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述应变测试装置包括应变片。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沿所述晶圆背面所在平面的X轴方向和Y轴方向中的至少之一方向设置有多个应变测试装置；

所述利用应变测试装置，测量晶圆背面的应力，包括：

针对所述至少之一方向中的一个方向，利用相应方向上设置的多个应变测试装置，测量所述相应方向对应多个位置处的应力；

所述利用测量的应力，结合应力与晶圆弯曲度的对应关系，得到所述晶圆的弯曲度，包括：

利用测量的所述相应方向对应多个位置处的应力，结合应力与晶圆弯曲度的对应关系，得到所述相应方向对应多个位置处的弯曲度；

对所述相应方向应多个位置处的弯曲度求平均值，得到所述晶圆相应方向的弯曲度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用测量的应力，结合应力与晶圆弯曲度的对应关系，得到所述晶圆的弯曲度，包括：

根据所述测量的应力的方向，确定所述晶圆的弯曲度的方向；

根据所述测量的应力的大小，结合应力与晶圆弯曲度的对应关系，确定所述晶圆的弯曲度的大小。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在包含多个阶段的半导体加工工艺阶段的每个阶段，确定所述晶圆的弯曲度。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

针对不同的半导体加工工艺阶段中的每个阶段，分别确定所述应力与晶圆弯曲度的对应关系。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述确定所述应力与晶圆弯曲度的对应关系，包括：

在利用所述应变测试装置测量晶圆的应力时，利用第一测试装置测量得到晶圆对应的第一弯曲度；所述第一测试装置不跟随所述晶圆进行半导体加工工艺；

利用所述应力及所述第一弯曲度，确定所述应力与晶圆弯曲度的对应关系。

8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述利用应变测试装置，测量晶圆背面的应力，包括：

通过测量所述应变片的电阻值，得到所述晶圆背面的应力。

9.一种晶圆弯曲度测量装置，其特征在于，包括：

测试单元，用于利用应变测试装置，测量晶圆背面的应力；所述应变测试装置设置在所述晶圆背面，所述应变测试装置跟随所述晶圆进行半导体加工工艺；

第一确定单元，用于利用测量的应力，结合应力与晶圆弯曲度的对应关系，得到所述晶圆的弯曲度。

10.一种存储介质，其上存储有可执行指令，其特征在于，所述可执行指令被处理器执行时实现权利要求1至8任一项所述方法的步骤。